| Az elektronikus eszközök bevezető áttekintése | 11 |
| Félvezető fizikai összefoglaló | 35 |
| Félvezetők sávszerkezete | 35 |
| A diszperziós reláció | 35 |
| Az elektronállapotok sűrűsége | 39 |
| Fermi statisztika, intrinsic félvezető | 41 |
| Adalékolt félvezetők | 44 |
| A töltéshordozó koncentrációk és a Fermi szint kapcsolata | 48 |
| A Fermi nívó helyzete | 50 |
| Hőmérsékletfüggés | 54 |
| Áttérés potenciálokra, nem egyensúlyi koncentrációk | 55 |
| Az eszközfizika alapegyenletei | 57 |
| Extenzív és intenzív mennyiségek | 58 |
| Az általános transzportegyenlet | 58 |
| A megmaradási törvény | 59 |
| Áramok, transzportegyenletek | 61 |
| Megjegyzések a transzportegyenletekhez | 65 |
| Kiegészítő egyenletek | 66 |
| Az alapegyenletek legfontosabb következményei | 66 |
| Neutralitás és egyensúly | 66 |
| Áramok félvezetőkben | 69 |
| Egyensúly inhomogén anyagban | 70 |
| Felületi jelenségek | 72 |
| A dielektromos relaxáció | 76 |
| Diffúziós egyenlet, diffúziós hossz | 78 |
| Félvezetők anyagi paraméterei | 80 |
| Mozgékonyság | 80 |
| Félvezetők fajlagos ellenállása | 81 |
| Generációs-rekombinációs jelenségek | 82 |
| A kisszintű élettartam | 88 |
| Generáció nagy térerősség esetén | 89 |
| Generáció külső hatások következtében | 90 |
| A pn átmenet | 92 |
| A pn átmenet struktúrája | 92 |
| A pn átmenet sztatikus viszonyai | 96 |
| Diffúziós potenciál, kontaktpotenciál | 96 |
| Töltés- és potenciáleloszlás. Kiürített réteg | 102 |
| Az elektrosztatikus viszonyok közelítő számítása | 106 |
| A pn átmenet potenciálmenetének pontos számítása | 118 |
| A pn átmenet egyenáramú karakterisztikája | 121 |
| Az egyenirányító működés kvalitatív magyarázata | 121 |
| Az ideális dióda egyenlet | 129 |
| Nagyáramú jelenségek a nyitó tartományban | 148 |
| Generáció-rekombinációs jelenségek | 157 |
| Letörési jelenségek | 167 |
| A pn átmenet differenciális jellemzői és kapacitásai | 180 |
| A pn átmenet differenciális ellenállása | 180 |
| A pn átmenet kapacitásai | 185 |
| Diffúziós kapacitás és admittancia | 188 |
| A tértöltéskapacitás számítása | 200 |
| A pn átmenet kapcsolódó működése | 206 |
| Diódás kapcsolók sztatikus viselkedése | 206 |
| Diódatranziensek és kvalitatív magyarázatuk | 211 |
| Bekapcsolási tranziens | 214 |
| Kikapcsolási tranziens. A záró irányú feléledési idő | 218 |
| A pn átmenet töltésegyenlete | 223 |
| A gyorsítás lehetőségei | 230 |
| A pn átmenet működésének hőmérséklet-függése | 231 |
| A záróáram hőmérsékletfüggése | 231 |
| A nyitófeszültség hőmérséklet-függése | 233 |
| Félvezető diódák | 235 |
| Tokozás, termikus jellemzők | 235 |
| Félvezető diódák tokozása | 235 |
| Hőelvezetés, hővezetési ellenállás | 238 |
| Hőmérsékleti hatások a dióda elektromos viselkedésében | 245 |
| A félvezető diódák adatlapja | 252 |
| A félvezető eszközök szokványos jelölésrendszere | 253 |
| Egy adatlap részletes ismertetése | 254 |
| Különleges félvezető diódák | 260 |
| Változó kapacitású diódák | 260 |
| Zener diódák | 264 |
| Nagyfeszültségű diódák. A p-i-n dióda | 269 |
| A félvezető diódák számítógépi modellezése | 275 |
| A bipoláris tranzisztor | 277 |
| A bipoláris tranzisztor struktúrája | 277 |
| A bipoláris tranzisztor működése | 282 |
| A tranzisztorhatás | 282 |
| Az áramerősítés | 285 |
| Injektálási hatásfok, transzporthatásfok | 286 |
| Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázisú tranzisztor | 288 |
| A tranzisztor üzemmódjai | 291 |
| Potenciálviszonyok a tranzisztorban | 293 |
| Kiürített rétegek. Az effektív bázisvastagság | 294 |
| Beépített tér a bázisban | 295 |
| Az ideális tranzisztor egyenáramú karakterisztikája | 297 |
| A karakterisztikaszámítás általános módszere | 297 |
| A tranzisztor normál aktív üzeme | 300 |
| A tranzisztor inverz aktív üzeme | 312 |
| A tranzisztor telítéses működése. Az Ebers-Moll-egyenletek | 316 |
| Az ideális tranzisztor karakterisztikái | 325 |
| A valóságos tranzisztor karakterisztikái | 338 |
| A CB parazita dióda hatása | 338 |
| A soros ellenállások | 340 |
| Kimenő vezetés és visszahatás Early-effektus | 345 |
| Az áramerősítés munkapont függése | 355 |
| Az áramkiszorítás | 361 |
| Egyenáramú jellemzők a tranzisztor adatlapon | 366 |
| Kisjelű helyettesítőképek, kapacitások | 373 |
| A kisjelű erősítőműködés jellege | 373 |
| Fizikai és "fekete doboz" helyettesítés | 375 |
| Kisjelű fizikai helyettesítőképek | 375 |
| A kapacitások figyelembevétele | 382 |
| Négypólus helyettesítő képek | 384 |
| Nagyfrekvenciás működés | 392 |
| A tranzisztor határfrekvenciái | 392 |
| Az áramerősítés nagyfrekvenciás csökkenésének okai | 394 |
| A határfrekvenciák számítása | 398 |
| Konstrukciós szempontok a nagyfrekvenciás tranzisztoroknál | 402 |
| A tranzisztor kapcsoló működése | 403 |
| A kapcsoló működés jellege | 403 |
| Határadatok, maximális kapcsolható teljesítmény | 405 |
| Áramköri tranziensek | 410 |
| A belső működés tranziensei | 417 |
| A töltésegyenletek | 423 |
| A kapcsolási idők számítása | 428 |
| Térvezérlésű tranzisztorok | 434 |
| A MOS struktúra | 435 |
| A MOS struktúra és kapacitása | 435 |
| Tértöltés a félvezető felület környezetében | 441 |
| A küszöbfeszültség | 446 |
| Az inverziós töltés | 452 |
| Az oxidtöltés hatása a küszöbfeszültségre | 455 |
| Küszöbfeszültség beállítás ionimplantációval | 456 |
| Az inverziós réteg sajátságai | 457 |
| A növekményes MOS tranzisztor | 461 |
| A növekményes MOS tranzisztor felépítése | 461 |
| A MOS tranzisztor differenciál-egyenlete | 462 |
| A karakterisztikaegyenlet meghatározása | 464 |
| A MOS tranzisztor ideális karakterisztikája, a telítési feszültség | 467 |
| A MOS tranzisztor négyzetes ellenállása | 469 |
| Méretcsökkentési szabályok (scale down) | 471 |
| Komplementer MOS tranzisztorpárok | 474 |
| A kiürítéses MOS tranzisztor | 476 |
| Részletes tárgyalás | 479 |
| Potenciáleloszlás | 479 |
| Működési sebesség | 482 |
| A telítéses üzemállapot részletes vizsgálata | 483 |
| A telítési feszültség és a telítési áram | 487 |
| A mozgékonyság térerősség függésének hatása | 489 |
| A szubsztrát-előfeszültség hatása | 491 |
| Küszöbfeszültség alatti áram | 491 |
| A source és drain körül kialakuló tértöltésréteg hatása, a rövidcsatornás MOS tranzisztor | 497 |
| Alkalmazási kérdések | 501 |
| A MOS tranzisztor kapcsolóüzeme | 501 |
| A karakterisztika hőmérsékletfüggése | 505 |
| A záróréteges térvezérlésű tranzisztor | 507 |
| A záróréteges térvezérlésű tranzisztor működése | 507 |
| A záróréteges térvezérlésű tranzisztor differenciálegyenlete | 510 |
| A záróréteges térvezérlésű tranzisztor karakterisztikája | 512 |
| A záróréteges térvezérlésű tranzisztor paraméterei | 516 |
| Töltésáthaladási idő és sávjóság | 518 |
| Hőmérsékletfüggés | 520 |
| Függelék | 523 |
Folytatás Microsoft-tal