kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát
Kiadó: | Tankönyvkiadó Vállalat |
---|---|
Kiadás helye: | Budapest |
Kiadás éve: | |
Kötés típusa: | Ragasztott papírkötés |
Oldalszám: | 308 oldal |
Sorozatcím: | |
Kötetszám: | |
Nyelv: | Magyar |
Méret: | 24 cm x 17 cm |
ISBN: | |
Megjegyzés: | 188 fekete-fehér ábrával illusztrálva. A könyv 700 példányban jelent meg. Tankönyvi szám: J5-1093. Kézirat. |
Előszó | 7 |
Félvezetőfizikai alapok | |
A félvezetőanyagok kristályszerkezete | 11 |
Alapfogalmak | 11 |
Köbös rács, gyémántrács, cinkblende | 13 |
Diffrakciós vizsgálatok | 14 |
A kristályrács mechanikus rezgései | 15 |
Rezgések a homogén egydimenziós atomláncon | 16 |
Összetettebb rendszerek rezgései | 24 |
A rácsrezgés-kvantum: a foton | 26 |
Elektron-állapotok a félvezetőkristályban | 27 |
Kvantummechanikai alapfogalmak | 28 |
Több-részecskés rendszerek | 30 |
Szilárd testek: az atomok közti kötés, megengedett és tiltott energiasávok | 33 |
A sokelektron-probléma Hartree-Fock megoldása | 33 |
Block-függvények | 35 |
A periodikus potenciáltér általános következményei | 38 |
Megoldás az erősen kötött elektronokra | 42 |
Sávszerkezet az egyszerű köbös rácsnál. Effektív tömeg | 48 |
Vegyértéksáv, vezetési sáv. Töltéshordozók | 51 |
Gyakorlati félvezetőanyagok sávszerkezete | 52 |
Az elektronok egyensúlyi eloszlása | 55 |
Egységcellák a Brillouin zónában | 55 |
A betöltési valószínűség függvény | 56 |
A Fermi-Dirac eloszlásfüggvény | 56 |
Az elektron- és lyuksűrűség számítása | 58 |
A megengedett állapotok sűrűsége | 61 |
Elektron- és lyuksűrűség parabolikus sávszélek esetén | 64 |
Adalékolt (szennyezett) félvezetők | 68 |
A hordozókoncentrációk szennyezés- és hőmérsékletfüggése | 70 |
Egyensúly inhomogén anyagban | 74 |
Transzport jelenségek | 77 |
Egyszerű elmélet | 77 |
Mozgásegyenletek a félvezetőkristályban | 77 |
Egyensúlyi és nem egyensúlyi eloszlás | 78 |
A Boltzmann-egyenlet | 81 |
Megoldás a diffúziós és a sodródási áramra | 82 |
Rekombinációs jelenségek | 88 |
Direkt rekombináció | 89 |
Indirekt rekombináció | 91 |
Potenciálok, kvázi-Fermi-szintek | 94 |
Félvezető eszközök | |
Közeghatárok | |
Kilépési munka | 99 |
Félvezető határfelület | 100 |
Fém-félvezető átmenet | 104 |
Félvezető-félvezető átmenet | 106 |
A PN átmenet | |
PN átmenet sávmodellje | 109 |
A pn-átmenet nyitóirányú előfeszítéssel | 109 |
A pn-átmenet záróirányú előfeszítéssel | 117 |
Letörési jelenségek | 119 |
Félvezető diódák | |
A rétegdióda és helyettesítőképe | 127 |
Hőmérsékleti hatások | 130 |
A dióda átkapcsolása | 131 |
Különleges diódák (Változó kapacitású-; töltéstároló-; Zener-; PIN-; Schottky diódák) | 136 |
A dióda mint egyenirányító | 144 |
Tranzisztor | |
A rétegtranzisztor normál aktív üzemállapota | 147 |
A tranzisztor emitterárama | 151 |
Töltésviszonyok a tranzisztor bázisrétegében | 154 |
Tranzisztor paraméterek | 158 |
Nagy injektálási szintek | 163 |
Transzport faktor (átviteli hatásfok, átviteli tényező) | 166 |
Erősítés-sávszélesség szorzat | 170 |
A transzverzális bázisellenállás hatása | 173 |
Termikus visszacsatolás hatása a tranzisztor paramétereire | 178 |
A tranzisztor kapcsolóüzeme | 184 |
Különleges tranzisztor struktúrák (integrált áramköri tranzisztor, multiemitteres tranzisztor) | 193 |
Térvezérlésű eszközök | |
Bevezetés | 198 |
Záróréteges térvezérlésű tranzisztor | 202 |
Záróréteges térvezérlésű tranzisztor áram-feszültség karakterisztikájának levezetése | 207 |
Karakterisztikaegyenlet közös (földelt) forrású kapcsolás esetén | 211 |
Telitéses üzemmód részletesebb vizsgálata | 213 |
Kisjelű paraméterek és helyettesítőképek | 214 |
Karakterisztikák és paraméterek hőmérsékletfüggése | 219 |
Szerkezeti felépítés | 220 |
Schottky-gátas FET | 222 |
Szigetelt vezérlőelektródás térvezérlésű tranzisztor | 223 |
Karakterisztikaegyenlet levezetése | 233 |
Kisjelű paraméterek és helyettesítőképek | 240 |
Térvezérlésű tranzisztorok a gyakorlatban | 242 |
Integrált áramkörök | |
Bevezető | 247 |
Maszkok | 248 |
Vastagréteg technológia | 251 |
Vékonyréteg technológia | 255 |
Szigetelő alapú integrált áramkörök konstrukciója és technológiája | 258 |
Monolit eljárások | 269 |
Félvezető alapú áramköri elemek | 273 |
Félvezető alapú (bipoláris) áramkörök technológiája | 289 |
Bipoláris logikai áramkörök | 293 |
MOS integrált áramkörök technológiája | 296 |
Csoportos integrálás | 307 |
Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.