1.062.077

kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát

A kosaram
0
MÉG
5000 Ft
a(z) 5000Ft-os
szállítási
értékhatárig

Új anyagok és új szerkezetek a mikrohullámú félvezető eszközökben

Új anyagok és új szerkezetek a mikrohullámú félvezető eszközökben
Új anyagok és új szerkezetek a mikrohullámú félvezető eszközökben
Szerző
Szerkesztő
Budapest
'Mojzes Imre: Új anyagok és új szerkezetek a mikrohullámú félvezető eszközökben ' összes példány
Kiadó: Akadémiai Kiadó
Kiadás helye: Budapest
Kiadás éve:
Kötés típusa: Ragasztott papírkötés
Oldalszám: 311 oldal
Sorozatcím: Műszaki tudományok - Az elektronika újabb eredményei
Kötetszám: 11
Nyelv: Magyar  
Méret: 20 cm x 14 cm
ISBN: 963-05-6439-4
Megjegyzés: Fekete-fehér ábrákkal illusztrált.
Értesítőt kérek a kiadóról
Értesítőt kérek a sorozatról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Fülszöveg

A mikrohullámú félvezető eszközök terén is igen sok új lehetőséget tárt fel a heteroszerkezetek megvalósítása. A heteroszerkezetek lehetővé tették új fizikai elveken működő eszközök létrehozását, melyek mind jobban közelítenek az optoelektronikához.
A könyv áttekinti azokat az új anyagokat - amelyek elsősorban vegyület-félvezetők - és azokat az új módszereket, amelyek felhasználásával ezeket bonyolult, többrétegű rendszereket létre lehet hozni. Az új anyagok új jelenségek lehetőségét rejtik. A szerzők ismertetik az elektrontranszport-jelenségeket, a rezonáns alagúthatást és kitérnek a Gunn-jelenség új vonásaira. Fontos helyet kap a tárgyalás során az anyagjellemzők és az eszközparaméterek közötti kapcsolat felderítése. Külön fejezet tárgyalja a heteroszerkezetes mikrohullámú eszközöket, amelyek új technológiai megközelítést igényelnek. A kötethez csatolt bő bibliográfia segítséget nyújt a további tájékozódásban.
A könyvet elsősorban félvezető-fizikával és -technológiával,... Tovább

Fülszöveg

A mikrohullámú félvezető eszközök terén is igen sok új lehetőséget tárt fel a heteroszerkezetek megvalósítása. A heteroszerkezetek lehetővé tették új fizikai elveken működő eszközök létrehozását, melyek mind jobban közelítenek az optoelektronikához.
A könyv áttekinti azokat az új anyagokat - amelyek elsősorban vegyület-félvezetők - és azokat az új módszereket, amelyek felhasználásával ezeket bonyolult, többrétegű rendszereket létre lehet hozni. Az új anyagok új jelenségek lehetőségét rejtik. A szerzők ismertetik az elektrontranszport-jelenségeket, a rezonáns alagúthatást és kitérnek a Gunn-jelenség új vonásaira. Fontos helyet kap a tárgyalás során az anyagjellemzők és az eszközparaméterek közötti kapcsolat felderítése. Külön fejezet tárgyalja a heteroszerkezetes mikrohullámú eszközöket, amelyek új technológiai megközelítést igényelnek. A kötethez csatolt bő bibliográfia segítséget nyújt a további tájékozódásban.
A könyvet elsősorban félvezető-fizikával és -technológiával, mikrohullámú eszközökkel, valamint optoelektronikával foglalkozó szakembereknek ajánljuk. E tématerületeken az egyetemi és a posztgraduális képzésben tankönyvként is felhasználható. Vissza

Tartalom

Előszó9
Bevezetés13
A mikrohullámú félvezető eszközök fejlődése13
Rövid történeti áttekintés a III-V típusú vegyület-félvezetőkről21
Új félvezető anyagok és szerkezetek30
A III-V típusú vegyület-félvezetők általános tulajdonságai31
Terner és kvaterner III-V félvezetők46
Töltéshordozó-transzport, kis elektromos terek52
Transzport nagy elektromos terekben65
Egyes fontosabb III-V anyagok tulajdonságai78
Indium-foszfid78
Gallium-antimonid86
Alumínium-gallium-arzenid88
Indium-gallium-arzenid és indium-gallium-arzenid-foszfid91
Indium-gallium-foszfid97
Alumínium-indium-arzenid98
Széles tiltott sávú anyagok99
Új fizikai elvek és új eszközszerkezetek a mikrohullámú félvezető-technikában101
Anyagjellemzők és eszközparaméterek kapcsolata102
Futási időn alapuló eszközök határfrekvenciájának kapcsolata az anyagjellemzőkkel107
Ballisztikus transzport félvezető eszközökben119
Rezonáns alagúthatás kvantumgödörben, két potenciálgátas dióda124
Gunn-jelenség vegyület-félvezetőkben, Gunn-eszközök132
IMPATT és rokon eszközök140
Rövid mikrohullámú impulzusok előállítása optikai módszerekkel144
Heteroszerkezetek mikrohullámú félvezető eszközökben152
Heteroszerkezetek általános jellemzése152
Kétdimenziós elektrongáz tulajdonságai heteroátmenetekben161
Heteroátmenetes térvezérlésű tranzisztorok, nagy elektronmozgékonyságú tranzisztor172
Heteroátmenetes bipoláris tranzisztorok190
Néhány különleges heteroátmenetes tranzisztor197
Forróelektron-tranzisztor197
Áteresztő bázisú tranzisztor200
Szigetelt vezérlőelektródájú térvezérlésű heterotranzisztor201
Félvezető-szigetelő-félvezető térvezérlésű tranzisztor202
Vertikális elrendezésű tranzisztor205
Rezonáns alagúthatású tranzisztor206
Néhány technológiai művelet209
Epitaxiás rétegnövesztési módszerek210
Molekulasugaras epitaxia212
Fémorganikus kémiai gőzfázisú leválasztás214
Kémiai sugaras epitaxia217
III-V típusú félvezetők növesztése szilícium hordozóra219
GaAs és más III-V típusú félvezetők növesztése szigetelőkristályokra225
Korszerű rétegadalékolási módszerek228
Neutrontranszmutációs adalékolás228
Ionimplantálás GaAlAs/GaAs heteroszerkezetbe231
Ionimplantálás InP rétegszerkezetbe234
Litográfiás műveletek235
Elektronlitográfia236
Röntgenlitográfia238
Ionlitográfia242
Szigetelőrétegek III-V típusú vegyület-félvezetőkön243
III-V típusú félvezető-fluorid rendszer244
InP MIS rendszer246
InGaAs MIS rendszer és alkalmazása249
Nagy hőmérséklet-stabilitású kontaktusok251
Összefoglalás és kitekintés257
Függelék259
Jelölések259
Angol/amerikai betűszavak262
Irodalom268

Témakörök

Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem