Előszó | 9 |
Legfontosabb jelölések | 11 |
Bevezetés | 13 |
A térvezérlésű tranzisztor története | 13 |
Térvezérlésű tranzisztorok; fogalmak és meghatározások | 15 |
Félvezetők tulajdonságai | 19 |
A kristályszerkezet | 19 |
Az energiasáv-modell | 20 |
Fémek, szigetelők, félvezetők | 21 |
A Fermi-szint | 22 |
Elektromos töltések félvezetőkben | 24 |
Elektronok és lyukak, szerkezeti félvezetők | 24 |
Szennyezett (adalékolt) félvezetők | 25 |
Térvezérlés | 29 |
A felületi réteg tulajdonságai | 30 |
Fém-oxid-félvezető (MOS) térvezérlésű tranzisztorok | 32 |
Térvezérlésű tranzisztorok felépítése | 32 |
Kiürítéses és növekményes típusok | 33 |
Drain és source | 35 |
Küszöbfeszültség és töltésegyensúly | 36 |
Áram-feszültség-karakterisztikák | 40 |
Nagyon alacsony feszültség esete (a lineáris tartomány) | 40 |
Alacsony drainfeszültségű üzem (az elzáródás alatti tartomány) | 41 |
Nagy drainfeszültség esete (a telítési tartomány) | 43 |
Másodrendű hatások az áram-feszültség-karakterisztikában | 44 |
A kimeneti impedancia | 44 |
A szubsztrált feszültség | 45 |
Letörés a draintartományban | 45 |
Letörés a gate-elektródában | 46 |
A hőmérséklet hatása a MOS tranzisztorokra | 47 |
Öregedési hatások | 48 |
MOS tranzisztorok kapacitásai | 48 |
A gate-kapacitás | 48 |
A drainkapacitás | 49 |
Térvezérlésű tranzisztorok különleges típusai | 51 |
Záróréteges térvezérlésű tranzisztorok | 51 |
Áram-feszültség-karakterisztikák | 52 |
Hőmérsékletfüggés | 54 |
Kapacitások | 56 |
Schottky-gate térvezérlésű tranzisztorok | 56 |
Memóriatranzisztorok | 57 |
MOS tranzisztorok digitális áramkörökben | 60 |
Általános követelmények logikai áramkörökre | 60 |
Az inverter; karakterisztikája és teljesítményfelvétele | 62 |
Az inverter nyugalmi állapotainak stabilitása | 68 |
Zajtartalék és zajvédettség | 71 |
Az inverter sebessége | 73 |
Az inverter terveszése | 80 |
Összefoglalás | 82 |
Komplementer inverterek | 82 |
Órajeles logika | 88 |
Logikai kapuk | 90 |
NEM-VAGY kapuk | 90 |
NEM-ÉS kapuk | 92 |
Relé és logika | 93 |
Komplementer áramkörök | 94 |
Regiszterek és memóriák | 98 |
Flip-flop áramkörök | 98 |
Dinamikus regiszterek | 100 |
Tolóregiszterek | 102 |
Dinamikus időregiszterek | 102 |
Sztatikus tolóregiszterek | 106 |
Töltéscsatolású eszközök és "bucket-brigade" regiszterek | 109 |
Töltéscsatolású eszközök | 109 |
Bucket-brigade regiszterek | 111 |
Véletlen elérésű memóriák (RAM) | 112 |
Csak olvasó memóriák (ROM) | 112 |
Író-olvasó memóriák (RWM) | 117 |
MOS tranzisztorok lineáris áramkörökben | 128 |
A MOS tranzisztorok karakterisztikái | 128 |
Szivárgási áramok | 129 |
Kisjelű áramkörök földelt source-szal | 129 |
Zajviszonyok MOS tranzisztorokban | 135 |
MOS tranzisztorok torzítása | 138 |
Gyártás és technológia | 139 |
Egykristály anyag | 139 |
Szeletelés és felületi kezelés | 142 |
A szilícium oxidációja | 144 |
Fotoreziszt | 147 |
A maszk előállítása | 148 |
Diffúzió | 148 |
A gate-szigetelés előállítása | 151 |
Fémezés | 151 |
Vékonyréteg tranzisztorok | 152 |
Szilícium-zafír technika | 153 |
Integrált áramköri technológia | 156 |
A szilícium felszíni területe | 157 |
Átbújtatott összeköttetések | 158 |
Sztatikus átütés elleni védelem | 159 |
MOS áramkörök elrendezése | 160 |
Próbaegységek | 161 |
Nagybonyolultságú áramkörök | 162 |
Integrált áramkörök csatlakozási szempontjai | 165 |
Példa MOS LSI áramkörök tervezésére | 167 |
Irodalom | 173 |