| Előszó | 11 |
| Az integrált áramkörök áttekintése | 13 |
| Az integrált áramkörök áttekintése | 13 |
| Az integrált áramkörök felosztása | 13 |
| Monolitikus integrált áramkörök | 13 |
| Fém-oxid-szilicium (MOS) integrált áramkörök | 21 |
| Hibrid integrált áramkörök | 23 |
| A hibrid és a monolitikus áramkörök összehasonlítása | 26 |
| Az integrált áramköri technológiák kiválasztását befolyásoló tényezők | 27 |
| A bipoláris integrált áramkörök gyártástechnológiája | 33 |
| Technológiai eljárások | 34 |
| Alapanyag-előkészítés | 38 |
| Oxidáció és planáris technológia | 38 |
| Oxidréteg-növesztés | 40 |
| Fotmaszkkészítés | 41 |
| Számítógépes rajztervezés | 45 |
| Fotolitográfiai maratási eljárás | 46 |
| Diffúziós műveletek | 46 |
| Adalékanyagok és az integrált áramkörök főbb jellemzői | 49 |
| Epitaxiás rétegnsövesztés | 50 |
| Szigetelés | 51 |
| Fémezés | 53 |
| Vákuumpárologtatás | 56 |
| Elempassziválás | 56 |
| A gyártástechnológia stabilitása | 57 |
| A bipoláris integrált áramkörök tulajdonságai és tervezése | 59 |
| A bipoláris integrált áramkörök tervezési szabályai | 60 |
| A monolitikus integrált áramkörök alkotórészei | 61 |
| Bipoláris integrált áramköri tranzisztorok | 63 |
| Komplementer tranzisztorok | 64 |
| Ultranagy erősítésű tranzisztorok | 66 |
| Integrált áramkörbe épített monolitikus diódák | 75 |
| Schottky-barrier diódák | 75 |
| Monolitikus ellenállások | 77 |
| A rétegellenállás | 79 |
| Monolitikus kondenzátor | 80 |
| Az alkatrészek összeállítása | 83 |
| Bipoláris logikai áramkörcsaládok | 84 |
| A digitális áramkörök alapvető jellemzői | 84 |
| Telitéses logikai rendszerek | 84 |
| Ellenállás - tranzisztor ligika | 84 |
| Dióda - tranzisztor logika | 85 |
| Kimeneti fokozatként használt TTL kapuk | 87 |
| Népszerű TTL családok | 94 |
| A háromállapotú TTL | 100 |
| Áramkapcsolós logika | 103 |
| Emittercsatolású logika (ECL) | 105 |
| Az ECL összehasonlítása a többi logikai családdal | 108 |
| A digitális integrált áramkörökkel kapcsolatos elnevezések | 108 |
| Felfutási idő és esési idő | 114 |
| Terjedési - késleltetési idő | 115 |
| A TTL és a háromállapotú közepes bonyolultságú integrált áramkörök alkalmazásai | 116 |
| Gazdasági megfontolások az MSI bevezetéséhez | 116 |
| Az MSI áramkörök alkalmazásai | 117 |
| Számláncok | 117 |
| Nagy sebességű TTL összeadók | 137 |
| TTL MSI adatirányítók | 144 |
| Digitális szűrő | 157 |
| Digitális frekvenciadetektáló áramkör | 157 |
| Digitális óra | 159 |
| A háromállapotú logika (TSL) alkalmazásai | 161 |
| Fém-oxid-félvezető (MOS) integrált áramkörök | 176 |
| p-MOS rendszerű félvezető eszközök | 178 |
| p-MOS terhelő ellenállások | 181 |
| p-MOS előállítrási technológia | 182 |
| Az n-csatornás MOS struktúra | 183 |
| A nyitófeszültség | 187 |
| Kis és nagy nyitófeszültségű technológia | 187 |
| Komplementer szimmetriájú MOS áramkörök | 191 |
| A szilicium vezérlőelektródás MOS szerkezet | 193 |
| A sziliciumnitrides MOS struktúra (MNOS) | 196 |
| Ionimplantált MOS integrált áramkörök | 197 |
| Hőálló fémréteges MOS (RMOS) áramkörök | 200 |
| A MOS struktúra | 201 |
| Önbeálló vezérlőelektródás, vastagoxid szerkezetű MOS (SATO) | 202 |
| Kettős diffúziós MOS (DMO-alumíniumoxid-szilícium integrált áramkörök | 204 |
| Zafírra növesztett (SOS) MOS integrált áramkörök | 204 |
| Spinellre növesztett MOS integrált áramkörök | 205 |
| Töltéscsatolású MOS integrált áramkörök | 207 |
| A CMOS áramkörök alkalmazása | 212 |
| Inverter dáramkörök tulajdonságai | 218 |
| Átviteli kapuáramkörök | 221 |
| A 4000 A sorozatú SMOS áramkörcsalád | 223 |
| Nem - Vagy kapuáramkörök | 223 |
| Nem - És kapuáramkörök | 224 |
| Beíró-törlő flip-flop áramkörök | 224 |
| D-típusú flip-flop áramkör | 225 |
| J-K flip-flop áramkörök | 226 |
| Memória-áramkör cellák | 227 |
| Dinamikus léptetőregiszterek | 229 |
| A CMOS logikai áramkörök illesztése egyéb logikai áramkörcsaládokkal | 230 |
| Bipoláris meghajtású CMOS áramkörök | 230 |
| Bipoláris eszközök meghajtása CMOS áramkörökkel | 231 |
| Teljesítményforrások | 236 |
| A MOS integrált áramkörök alkalmazásai | 239 |
| Nagy bonyolultságú integrált áramkörök (LSI) | 239 |
| Statikus és dinamikus logika | 240 |
| Statikus, DC logika | 241 |
| Dinamikus, AC logika | 243 |
| Léptetőtárolók | 246 |
| Dinamikus kétfázisú léptetőtároló | 247 |
| Dinamikus négyfázisú léptetőtároló | 251 |
| Statikus léptetőtárolók | 253 |
| Bemeneti és kimeneti fokozatok | 257 |
| MOS léptetőtárolók alkalmazásai | 258 |
| Dinamikus léptetőtárolók háromállapotú kimenettel | 260 |
| FIX memória (ROM) | 264 |
| Karaktergenerátor ROM áramkörökkel | 264 |
| Közvetlen hozzáférésű memóriák (RAM) | 270 |
| A statikus RAM | 271 |
| A dinamikus RAM | 271 |
| Az adatbeírás | 273 |
| A MOS RAM alkalmazása a központi memóriában | 276 |
| Tervezés számítógéppel | 278 |
| A számítógépes tervezés lépései | 279 |
| A MOS és a bipoláris áramkörök összehasonlítása | 283 |
| A MOS és a bipoláris technológia összehasonlítása | 283 |
| MOS vagy bipoláris technológia | 283 |
| A MOS áramkörök előnyös tulajdonságai és korlátai | 286 |
| Lineáris integrált áramkörök: a műveleti erősítő | 295 |
| Integrált áramköri műveleti erősítők | 295 |
| Az ideális műveleti erősítő | 296 |
| A frekvenciaátvitel és az erősítés meghatározása | 298 |
| A műveleti erősítőkkel kapcsolatos terminológia | 301 |
| Sebesség és frekvenciaátvitel | 302 |
| Szempontok a műveleti erősítő kiválasztásához | 305 |
| A műveleti erősítők alkalmazása | 310 |
| A műveleti erősítők alapkapcsolásai | 311 |
| Az invertáló erősítő | 311 |
| A neminvertáló erősítő | 312 |
| Az egységnyi erősítésű elválasztófokozat és a feszültségkövető kapcsolás | 313 |
| A műveleti erősítő védelmi áramkörei | 314 |
| A hibaáram hatásai | 314 |
| A bemeneti áram kiegyenlítése | 315 |
| A hibafeszültség kiegyenlítése | 317 |
| Általános megoldások a kiegyenlítésre | 318 |
| A műveleti erősítők frekvenciakompenzálása | 321 |
| Kompenzálások a működési sebesség fokozására | 324 |
| A műveleti erősítő védelmének tervezése | 326 |
| A műveleti erősítő jellemző alkalmazási területei | 327 |
| Feszültségkomparátorok | 328 |
| Váltakozóáramú csatolású, nagy bemeneti impedanciájú erősítő | 328 |
| Az integrátor | 329 |
| Mintavevő és jeltartó kapcsoláés | 330 |
| Aktív szűrők | 331 |
| Önhangoló szűrő | 332 |
| Monostabil multivibrátor | 333 |
| Szinuszoszcillátorok | 334 |
| Műszererősítő | 337 |
| Analóg-digitális átalakító | 339 |
| Az analóg kommutátor | 340 |
| Integrált áramkörös manompermérő kapcsolás | 341 |
| Az elektronikus hőmérő | 343 |
| Feszültségszabályozó műveleti erősítővel | 345 |
| A kettős feszültségszabályozó | 347 |
| Monolitikus feszültségszabályozók | 349 |
| A szabályozással kapcsolatos fogalmak értelmezése | 350 |
| Alapvető szabályozótípusok | 351 |
| Integrált áramkörös szabályozók | 353 |
| Integrált áramkörös szabályozók alkalmazása | 359 |
| Áramgenerátor | 359 |
| Hőmérséklket-szabályozó | 359 |
| Teljesítményerősítő | 361 |
| Nagyfeszültségű szabályozó | 362 |
| Fényerő-szabályozó | 364 |
| Együttfutó szabályozók | 365 |
| Negatív szabályozók | 366 |
| Olcsó kapcsolóüzemű szabályozó | 367 |
| Kis RF-zajú kapcsolóüzemű szabályozó | 367 |
| Az 5 V-os, 1 A-es monolitikus szabályozó | 369 |
| Nagy pontosságú feszültségszabályozók | 375 |
| Vékonyréteg hibridáramkörök | 378 |
| Vékonyréteg-áramkörök tervezése | 378 |
| A vékony- és vastagrétegek összehasonlítása | 381 |
| Rétegáramkör-hordozók | 383 |
| Vékonyréteggyártási műveletek | 384 |
| Vákuum gőzölés | 384 |
| Műveletellenőrzés | 385 |
| A vékonyrétegábra kialakítása | 386 |
| A vékonyréteg-technológia anyagai | 388 |
| Vékonyréteg-vezetők tervezése | 389 |
| A vékonyréteg-ellenállások tulajdonságai | 391 |
| Ellenállások parazitajelenségei | 392 |
| Vékonyréteg-ellenállások tervezése | 395 |
| Példa vékonyréteg-ellenállás tervezésére | 398 |
| Vékonyréteg-kondenzátorok | 398 |
| Vékonyréteg indukciós tekercsek | 403 |
| Vastagréteg hibridáramkörök | 405 |
| Vastagréteg-áramkör tervezése | 406 |
| Teljesítménydisszipáció | 406 |
| Az áramkör geometriai terveinek elkészítése | 407 |
| Vastagréteg-vezetőpályák tervezése | 408 |
| Vastagréteg-ellenállás tervezése | 409 |
| Ellenállások terhelhetősége | 411 |
| Chipellenállások | 412 |
| Vastagréteg-kondenzátorok | 414 |
| Chipkondenzátorok | 414 |
| Vékony- és vastagréteg hibridáramkörök összehasonlítása | 416 |
| Vastagréteg-technológia | 416 |
| Vastagréteg-áramkörök geometriai elrendezése | 419 |
| Vastagréteg-vezetőpályák felületi elrendezése | 419 |
| Vastagréteg-ellenállások felületi elrendezése | 420 |
| Vastagréteg-ellenállás tervezési példa | 422 |
| Integrált áramkörök tokozása és szerelése | 424 |
| Szerelési anyagok | 425 |
| A tokok típusai | 427 |
| TO-jellegű tokok | 427 |
| Sí-tokozás | 427 |
| Üreges kiképzésű "dual-in. line" (DIP) tok | 429 |
| Tömör kiképzésű DIP-tokok | 433 |
| Hibridáramköri tokok | 435 |
| A nagy bonyolultságú integrálás (LSI) tokozási kérdései | 435 |
| Állványra szerelés | 438 |
| A "flip-chip" eljárás | 439 |
| Tartóvezetékes szerelés | 441 |
| A "flip-chip" és a tartóvezetékes szerelés összehasonlítása | 445 |
| A "kerékküllő" kontaktálás | 447 |
| Dielektikum hordozón levő műanyag rétegbe ültetett félvezető eszközök | 447 |
| Hibridáramkörök szerelése | 448 |
| Ohmos kontaktusok és huzalkötő anyagok | 449 |
| Huzalkötési módszerek | 450 |
| Termokompressziós kötés | 450 |
| Ultrahangos kötés | 452 |
| Kötések minőségellenőrzési előírásai | 453 |
| Golyós kötés | 453 |
| Ultrahangos kötés | 454 |
| Általános jellegű előírások | 455 |
| Tokozás | 458 |
Folytatás Microsoft-tal