kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát
Kiadó: | Műszaki Könyvkiadó |
---|---|
Kiadás helye: | Budapest |
Kiadás éve: | |
Kötés típusa: | Ragasztott papírkötés |
Oldalszám: | 234 oldal |
Sorozatcím: | |
Kötetszám: | |
Nyelv: | Magyar |
Méret: | 24 cm x 17 cm |
ISBN: | 963-10-7586-9 |
Megjegyzés: | 178 fekete-fehér ábrával illusztrálva. Tankönyvi szám: 61449. |
Jelölések | 9 |
Bevezetés | 11 |
Történeti áttekintés | 12 |
Az MMIC-k fejlődésének jelenlegi helyzete | 14 |
Irodalomjegyzék az 1. fejezethez | 20 |
A GaAs fizikai sajátosságai | 23 |
Kristály- és sávszerkezet | 23 |
Elektromos és termikus transzporttulajdonságok | 25 |
Töltéshordozó transzport kisméretű eszközökben nagy elektromos térerőnél | 33 |
Összefoglalás | 39 |
Irodalomjegyzék a 2. fejezethez | 40 |
A GaAs eszköztechnológia főbb lépései | 43 |
Az egykristály előállítása | 44 |
Előállítási módszerek | 45 |
A félszigetelő GaAs | 46 |
Összefoglalás | 47 |
Epitaxiás növesztés | 48 |
Folyadékfázisú eljárás | 48 |
Gőzfázisú eljárás | 50 |
Epitaxiás növesztés szerves fémvegyületekből | 52 |
Molekulasugaras epitaxia | 53 |
Egyéb módszerek | 55 |
Összefoglalás | 55 |
Ionimplantáció | 56 |
Az implantálásra használt anyagok | 57 |
Az implantált rétegek hőkezelése | 57 |
Összefoglalás | 59 |
Diffúzió | 59 |
Dielektrikumleválasztás | 59 |
Fémezés | 59 |
A felület előkészítése és rajzolatok kialakítása marással | 60 |
Ohmos kontaktusok | 61 |
Kapuelektródák | 62 |
Összekötő fémezés | 62 |
Összefoglalás | 62 |
Litográfia | 62 |
Ultraibolya-sugaras litográfia | 63 |
Elektronsugaras litográfia | 63 |
Röntgensugaras litográfia | 64 |
Önillesztéses eljárás | 64 |
Leúsztatás | 65 |
Összefoglalás | 65 |
Kiszerelés | 66 |
Összefoglalás | 67 |
Irodalomjegyzék a 3. fejezethez | 67 |
Aktív elemek | 73 |
Monolit kivitelű diódák | 73 |
A monolit varaktor | 73 |
A monolit Schottky-dióda | 73 |
Védődiódák | 75 |
Térvezérlésű tranzisztorok | 75 |
A MESFET | 79 |
A MOSFET ÉS MISFET tranzisztor | 102 |
A GaAs JFET | 102 |
A GaAs bipoláris tranzisztor | 103 |
GaAs-alapú heteroátmenetes térvezérlésű tranzisztor | 103 |
A GaAs-alapú heteroátmenetes bipoláris tranzisztor | 103 |
Összefoglalás | 111 |
Irodalomjegyzék a 4. fejezethez | 114 |
Passzív elemek | 122 |
Általános szempontok | 122 |
A mikroszalagvonal | 122 |
A koplanárvonal | 124 |
Egyéb tápvonaltípusok | 124 |
Induktivitások kialakítása | 127 |
Kapacitások kialakítása | 130 |
Ellenállások kialakítása | 133 |
Átvezetések, áthidalások | 135 |
Összefoglalás | 136 |
Irodalomjegyzék az 5. fejezethez | 136 |
Digitális MMIC elrendezések | 138 |
Kapcsolások MESFET típusú eszközökkel | 138 |
A BFL rendszer | 138 |
Az SDFL rendszer | 140 |
A DCFL rendszer | 141 |
Az LPFL rendszer | 142 |
Egyéb áramköri megoldások | 142 |
Összefoglalás | 143 |
Kapcsolások JFET típusú eszközökkel | 144 |
Kapcsolások MOSFET típusú eszközökkel | 144 |
Összefoglalás | 144 |
Irodalomjegyzék a 6. fejezethez | 146 |
Alkalmazások | 146 |
Berendezésorientált áramkörök | 148 |
Tároló áramkörök | 148 |
Frekvenciaosztók | 152 |
Erősítők | 156 |
Erősítők koncentrált paraméterű elemekkel | 160 |
Erősítők elosztott paraméterű hálózatokból | 162 |
Keverők | 175 |
Fázistoló áramkörök | 186 |
Oszcillátorok | 196 |
Egyéb áramkörök | 196 |
Összefoglalás | 199 |
Irodalomjegyzék a 7. fejezethez | 200 |
Mérési módszerek | 201 |
Irodalomjegyzék a 8. fejezethez | 206 |
Megbízhatósági és sugárzásállósági kérdések | 208 |
Az MMIC-k megbízhatósági kérdései | 209 |
Az MMIC-k sugárzásállósága | 212 |
Összefoglalás | 214 |
Irodalomjegyzék a 9. fejezethez | 214 |
Lehetőségek és korlátok | 216 |
A monolit mikrohullámú integrált áramkörök korlátait meghatározó fizikai tényezők | 216 |
A technológiai korlátozó tényezők szerepe | 218 |
Összefoglalás | 219 |
Irodalomjegyzék a 10. fejezethez | 219 |
Összegzés és kitekintés | 220 |
Irodalomjegyzék a 11. fejezethez | 225 |
Függelék | 226 |
Tárgymutató | 233 |
Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.