kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát
| Kiadó: | Műszaki Könyvkiadó |
|---|---|
| Kiadás helye: | Budapest |
| Kiadás éve: | |
| Kötés típusa: | Vászon |
| Oldalszám: | 399 oldal |
| Sorozatcím: | Elektronikai Sorozat |
| Kötetszám: | |
| Nyelv: | Magyar |
| Méret: | 24 cm x 17 cm |
| ISBN: | 963-10-3178-0 |
| Megjegyzés: | 282 fekete-fehér ábrával illusztrálva. Tankönyvi szám: 60907. |
| Előszó | 11 |
| Tárolási műveletek és gazdaságosságuk | 15 |
| Bevezetés | 15 |
| A háromfajta tárolási mód | 16 |
| Sorrendi hozzáférésű tárak | 16 |
| Közvetlen hozzáférésű tárak | 23 |
| Fixprogramtárak | 30 |
| Irodalom | 35 |
| A félvezetős tárelemek áttekintése | 37 |
| A megvalósítani kívánt félvezetős tárelem karakterisztikája | 37 |
| A jelenlegi félvezetős táráramkörök áttekintése | 38 |
| A szilícium területével való gazdálkodás koncepicója | 41 |
| Bevezetés a szilícium alapú eszközök gyártási folyamatába | 41 |
| MOS- és bipoláris tárak összehasonlítása | 43 |
| A szilíciumfelülettel való gazdálkodás jelentősége | 45 |
| A félvezetős tártechnológiák ismertetése és összehasonlítása | 47 |
| Bipoláris technológiák | 47 |
| MOS-technológiák | 52 |
| A sebesség-teljesítmény szorzatok összehasonlítása | 62 |
| A tokozási technológia összefoglalása | 62 |
| Következtetések | 63 |
| Irodalom | 65 |
| Sorrendi hozzáférésű tárak | 66 |
| Bevezetés | 66 |
| MOS-léptetőregiszterek | 69 |
| Bevezetés | 69 |
| A háromfázisú sztatikus léptetőregiszter | 70 |
| A kézfázisú, arány jellegű dinamikus léptetőregiszter | 72 |
| A kétfázisú aránymentes dinamikus léptetőregiszter | 76 |
| A négyfázisú aránymentes dinamikus léptetőregiszter | 79 |
| A komplementer MOS-léptetőregiszter | 83 |
| A MOS-léptetőregiszterek problémái | 85 |
| Az órajelek előállítása | 85 |
| A léptetőregiszterek illesztése a rendszerhez | 86 |
| A bipoláris léptetőregiszterek jellemzői | 86 |
| A MOS-léptetőregiszter teljesítőképességének időbeli változása | 88 |
| Integrált léptetőregiszter-egységek | 89 |
| Jövőbeli fejlesztési irányok | 90 |
| Bevezetés | 90 |
| Töltéscsatolt eszközök (CCD, Charge Coupled Devices) | 90 |
| Vödörlánceszközök (BBD, Bucket Brigade Devices) | 92 |
| Mágneses buborékeszköz (MBD, Magnetic Bubble Device | 94 |
| Következtetések | 96 |
| Irodalom | 97 |
| A bipoláris közvetlen hozzáférésű tár | 99 |
| Bevezetés | 99 |
| A közvetlen hozzáférésű tár meghatározása | 99 |
| Miért bipoláris RAM? | 99 |
| A bipoláris RAM tervezési szempontjai | 100 |
| A bipoláris RAM-cellák áramkörei | 101 |
| A több emitteres cella | 101 |
| A diódacsatolású cella | 102 |
| Az ECL-tárcella | 103 |
| A RAM-ok periféria-áramkörei | 104 |
| Egy kétszavas, szavanként hárombites RAM mint tervezési példa | 104 |
| A 64-bites SN 7489 típusú RAM mint tervezési példa | 106 |
| A 256-bites SN 74200 típusú RAM bipoláris RAM | 108 |
| ECL-RAM-ok | 110 |
| Az 1024 bites RAM | 110 |
| Új technológiai lehetőségek a bipoláris RAM-ok részére | 113 |
| A kétdiódás cella | 113 |
| A lavinatörést hasznosító, kétkivezetésű tranzisztoros tárcella | 114 |
| A Wiedmann-Berger-tárcella | 115 |
| Gyártási eljárások | 116 |
| A bipoláris RAM-ok időbeli fejlődése | 117 |
| Cellaméret | 117 |
| Gazdaságosság | 118 |
| Lapkabonyolultság (tokonkénti bitszám) | 118 |
| A sebesség-teljesítmény szorzat mint jósági tényező | 119 |
| Következtetések | 119 |
| Irodalom | 120 |
| A MOS közvetlen hozzáférésű tár tervezése | 121 |
| Bevezetés | 121 |
| A közvetlen hozzáférésű tár meghatározása | 121 |
| Miért alkalmazunk RAM-okat? | 121 |
| Sztatikus RAM-cella | 122 |
| Bevezetés | 122 |
| A nyolctranzisztoros sztatikus RAM-cella | 123 |
| A hattranzisztoros sztatikus RAM-cella | 124 |
| A dinamikus RAM-cellák | 126 |
| Bevezetés | 126 |
| A négytranzisztoros dinamikus RAM-cella | 127 |
| A háromtranzisztoros dinamikus RAM-cella | 128 |
| Az egytranzisztoros dinamikus RAM-cella | 130 |
| Gyártmánypéldák | 132 |
| A TMS1103 típus | 132 |
| A TMS4062 típus | 134 |
| MOS-technológia és RAM-cellatervezés | 135 |
| P-csatornás technológai és P-csatornás szilíciuimgate-technológia | 136 |
| N-csatornás technológia | 137 |
| N-csatornás szilíciumgate-technológia | 137 |
| Ionimplantációs technológia | 138 |
| CMOS-technológia | 138 |
| Újabb fejlesztések | 139 |
| Az N-csatornás 4096-bites RAM | 139 |
| A töltéspumpált RAM-cella | 140 |
| A belső frissítésű dinamikus RAM-cela | 143 |
| A MOS-RAM fejlődsée | 144 |
| Cellaméret | 144 |
| Lapkabonyolultság | 145 |
| Teljesítménydisszipáció | 145 |
| Gazdaságosság | 146 |
| Összefoglalás | 146 |
| Irodalom | 147 |
| Fixprogramú félvezetős tárak tervezése | 149 |
| Bevezetés | 149 |
| Logikai és számítási műveletek megvalósítása ROM segítségével | 151 |
| Kódátalakítás Gray-kódból decimálisba | 152 |
| Általános kombinciós logikai áramkörök megvalósítása | 158 |
| Általános sorrendi logika | 158 |
| Egy modulo-10 (decimális) számláló tervezése | 159 |
| Trigonometrikus függvénygenerátor | 162 |
| A lapkatervezés technikája | 163 |
| Bevezetés | 163 |
| A MOS-elrendezés | 164 |
| A szabványos MOS-ROM programozása | 166 |
| Sorkiválasztó áramkör | 167 |
| Oszlopkiválasztó áramkör | 168 |
| MOS fa-mátrixáramkörök | 169 |
| Dinamikus MOS-ROM | 170 |
| Bipoláris tárak technológiai tervezése | 172 |
| Tárcellák és címdekódolás | 172 |
| Címdekódoló áramkör | 172 |
| Bipoláris tármátrix | 173 |
| A tármátrix maszkprogramozása | 175 |
| Oszlopkiválasztó áramkör | 176 |
| A MOS- és a bipoláris ROM-ok összehasonlítása | 178 |
| Programozható ROM | 178 |
| Kiolvadó fémezés | 178 |
| Lavina által előidézett fémvándorlás | 180 |
| A programozható ROM-ok összeahasonlítása | 180 |
| Egyéb módszerek | 181 |
| Irodalom | 184 |
| A félvezetős tárelemek megbízhatósága | 185 |
| Bevezetés | 185 |
| Az LSI (nagymértékben integrált) áramkör megbízhatóságát meghatározó tényezők | 185 |
| A tárrendszer megbízhatósági követelményei | 187 |
| A tárrendszerek meghibásodásai közötti átlagidő (MTBF, Mean Time Between Failure) | 187 |
| A tárelem meghibásodási aránya | 189 |
| A funkciónkénti megbízhatóság | 189 |
| Bipoláris áramkörök gyári vizsgálati adatai | 190 |
| A megbízhatósági célok összehasonlítása | 191 |
| A bipoláris áramkörök gyári vizsgáalti adatainak várható alakulása | 191 |
| Bipoláris felhasználói adatok | 192 |
| Az adatok és a célok összehasonlítása | 193 |
| A MOS gyári vizsgálatai | 193 |
| MOS felhasználói adatok | 194 |
| Az adatok és a célok összehasonlítása | 195 |
| Hibajavítás | 195 |
| További lehetőségek a megbízhatóság növelésére | 196 |
| Összefoglalás | 197 |
| Irodalom | 197 |
| A fixprogramú és a sorrendi hozzáférésű tárak alkalmazása | 198 |
| Bevezetés | 198 |
| Számológép egy lapkán | 198 |
| Aritmetikai műveletek | 201 |
| Összeadás/kivonás | 205 |
| Bináris-BCD kódalakítás | 205 |
| Szorzás | 207 |
| Osztás | 211 |
| Exponenciális függvények | 213 |
| Soros akkumulátor | 213 |
| Karakter-előállítás | 217 |
| A pontmátrixformátum | 217 |
| Vektor-display formátum | 220 |
| A ROM-ok gazdaságossága | 222 |
| Irodalom | 223 |
| A bipoláris közvetlen hozzáférésű tárak alkalmazásai | 224 |
| Bevezetés | 224 |
| A terhelés | 224 |
| A tárrendszerben előforduló terhelési tényezők | 226 |
| Az időzítés | 228 |
| A rendszer-hozzáférési idő | 228 |
| Címzés, írásengedélyezés, adatbement- és adatkimenet-időzítés | 229 |
| A beírási idő | 229 |
| A ciklusidő | 230 |
| A kimeneti terhelhetőség | 231 |
| A nyitott kollektoros és a háromállapotú kimenetek összehasonlítása | 231 |
| A háromállapotú kimenet megbízhatósága | 235 |
| A tárelemek alkalmazása a tárrendszerekben | 235 |
| A 256 szónál kisebb tárrendszerek | 235 |
| A terhelésvizsgálat | 237 |
| 128x16 bites tárrrendszer | 238 |
| A 256 szónál nagyobb tárrendszerek | 243 |
| 256x16 bites tárrendszer | 245 |
| XYZ dekódolás | 246 |
| 16 k szavas rendszer | 248 |
| 4 k x 4 bites kártya | 248 |
| 4 k x 16 bites tárrendszer | 250 |
| Nagyobb teljesítményű 4 k x 16 bites tárrendszer | 251 |
| Összefoglalás | 253 |
| Irodalom | 253 |
| A közvetlen hozzáférésű MOS-tárak alkalmazása | 255 |
| Bevezetés | 255 |
| A MOS-eszközök fontosabb sajátosságai | 255 |
| Nagy meghajtófeszültség | 257 |
| Tipikus bemeneti feltételek | 257 |
| Teljesítménydisszipáció | 258 |
| A MOS meghajtófokozata | 259 |
| A frissítés | 261 |
| Mi a frissítés? | 261 |
| Hogyan történik a frissítés? | 263 |
| A frissítés címzésének és vezérlésének elemzése | 263 |
| Az időzítés | 265 |
| Az időzítőgenerátor | 266 |
| A háromfázisú generátor | 266 |
| Az időzítőlogika | 267 |
| Az időzítési diagram | 268 |
| Az egymillió bites főtár elemzés | 270 |
| A tárelem kakarterisztikája | 270 |
| Időzítési diagram-olvasási ciklus | 272 |
| Időzítési diagram-írási ciklus | 273 |
| Tárrendszer | 274 |
| A TMS4062 típusú 1024 bites MOS-RAM -ot felhasználó rendszer | 285 |
| További fejlesztések | 294 |
| Az N-csatornán RAM-ok | 297 |
| Az N-csatornán MOS-hoz való csatlakozás | 298 |
| Alkalmazások | 301 |
| A legkönnyebben alkalmazható változat | 301 |
| A legnagyobb sebességű változat | 302 |
| A legolcsóbb, legnagyobb sűrűségű változat | 305 |
| További fejlesztések | 309 |
| Irodalom | 309 |
| Nagy központi tárak | 311 |
| Bevezetés | 311 |
| A kétszintű központi tárak | 311 |
| A kétszintű rendszerek | 312 |
| A tárrendszer jellemzői | 316 |
| ECL-tár | 317 |
| ECL-tárelemek | 318 |
| Az ECL-tárelemek alkalmauzkása | 320 |
| Egy 1024x9 bites ECL-tárrendszer | 321 |
| Egy nagykapacitású, nagy teljesítőképességű központi félvezetős tár | 326 |
| 1024 bites tárelem | 326 |
| A nyolcmillió bites tárrendszer kártyái | 328 |
| Bővítés nyolcmillió bites rendszerré | 333 |
| Összefoglalás | 343 |
| Irodalom | 344 |
| Függelék. A félvezetős tárak jelenlegi helyzete és várható fejlődése | 345 |
| Irodalom | 393 |
| Tárgymutató | 395 |
Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.