Előszó | 11 |
Tárolási műveletek és gazdaságosságuk | 15 |
Bevezetés | 15 |
A háromfajta tárolási mód | 16 |
Sorrendi hozzáférésű tárak | 16 |
Közvetlen hozzáférésű tárak | 23 |
Fixprogramtárak | 30 |
Irodalom | 35 |
A félvezetős tárelemek áttekintése | 37 |
A megvalósítani kívánt félvezetős tárelem karakterisztikája | 37 |
A jelenlegi félvezetős táráramkörök áttekintése | 38 |
A szilícium területével való gazdálkodás koncepicója | 41 |
Bevezetés a szilícium alapú eszközök gyártási folyamatába | 41 |
MOS- és bipoláris tárak összehasonlítása | 43 |
A szilíciumfelülettel való gazdálkodás jelentősége | 45 |
A félvezetős tártechnológiák ismertetése és összehasonlítása | 47 |
Bipoláris technológiák | 47 |
MOS-technológiák | 52 |
A sebesség-teljesítmény szorzatok összehasonlítása | 62 |
A tokozási technológia összefoglalása | 62 |
Következtetések | 63 |
Irodalom | 65 |
Sorrendi hozzáférésű tárak | 66 |
Bevezetés | 66 |
MOS-léptetőregiszterek | 69 |
Bevezetés | 69 |
A háromfázisú sztatikus léptetőregiszter | 70 |
A kézfázisú, arány jellegű dinamikus léptetőregiszter | 72 |
A kétfázisú aránymentes dinamikus léptetőregiszter | 76 |
A négyfázisú aránymentes dinamikus léptetőregiszter | 79 |
A komplementer MOS-léptetőregiszter | 83 |
A MOS-léptetőregiszterek problémái | 85 |
Az órajelek előállítása | 85 |
A léptetőregiszterek illesztése a rendszerhez | 86 |
A bipoláris léptetőregiszterek jellemzői | 86 |
A MOS-léptetőregiszter teljesítőképességének időbeli változása | 88 |
Integrált léptetőregiszter-egységek | 89 |
Jövőbeli fejlesztési irányok | 90 |
Bevezetés | 90 |
Töltéscsatolt eszközök (CCD, Charge Coupled Devices) | 90 |
Vödörlánceszközök (BBD, Bucket Brigade Devices) | 92 |
Mágneses buborékeszköz (MBD, Magnetic Bubble Device | 94 |
Következtetések | 96 |
Irodalom | 97 |
A bipoláris közvetlen hozzáférésű tár | 99 |
Bevezetés | 99 |
A közvetlen hozzáférésű tár meghatározása | 99 |
Miért bipoláris RAM? | 99 |
A bipoláris RAM tervezési szempontjai | 100 |
A bipoláris RAM-cellák áramkörei | 101 |
A több emitteres cella | 101 |
A diódacsatolású cella | 102 |
Az ECL-tárcella | 103 |
A RAM-ok periféria-áramkörei | 104 |
Egy kétszavas, szavanként hárombites RAM mint tervezési példa | 104 |
A 64-bites SN 7489 típusú RAM mint tervezési példa | 106 |
A 256-bites SN 74200 típusú RAM bipoláris RAM | 108 |
ECL-RAM-ok | 110 |
Az 1024 bites RAM | 110 |
Új technológiai lehetőségek a bipoláris RAM-ok részére | 113 |
A kétdiódás cella | 113 |
A lavinatörést hasznosító, kétkivezetésű tranzisztoros tárcella | 114 |
A Wiedmann-Berger-tárcella | 115 |
Gyártási eljárások | 116 |
A bipoláris RAM-ok időbeli fejlődése | 117 |
Cellaméret | 117 |
Gazdaságosság | 118 |
Lapkabonyolultság (tokonkénti bitszám) | 118 |
A sebesség-teljesítmény szorzat mint jósági tényező | 119 |
Következtetések | 119 |
Irodalom | 120 |
A MOS közvetlen hozzáférésű tár tervezése | 121 |
Bevezetés | 121 |
A közvetlen hozzáférésű tár meghatározása | 121 |
Miért alkalmazunk RAM-okat? | 121 |
Sztatikus RAM-cella | 122 |
Bevezetés | 122 |
A nyolctranzisztoros sztatikus RAM-cella | 123 |
A hattranzisztoros sztatikus RAM-cella | 124 |
A dinamikus RAM-cellák | 126 |
Bevezetés | 126 |
A négytranzisztoros dinamikus RAM-cella | 127 |
A háromtranzisztoros dinamikus RAM-cella | 128 |
Az egytranzisztoros dinamikus RAM-cella | 130 |
Gyártmánypéldák | 132 |
A TMS1103 típus | 132 |
A TMS4062 típus | 134 |
MOS-technológia és RAM-cellatervezés | 135 |
P-csatornás technológai és P-csatornás szilíciuimgate-technológia | 136 |
N-csatornás technológia | 137 |
N-csatornás szilíciumgate-technológia | 137 |
Ionimplantációs technológia | 138 |
CMOS-technológia | 138 |
Újabb fejlesztések | 139 |
Az N-csatornás 4096-bites RAM | 139 |
A töltéspumpált RAM-cella | 140 |
A belső frissítésű dinamikus RAM-cela | 143 |
A MOS-RAM fejlődsée | 144 |
Cellaméret | 144 |
Lapkabonyolultság | 145 |
Teljesítménydisszipáció | 145 |
Gazdaságosság | 146 |
Összefoglalás | 146 |
Irodalom | 147 |
Fixprogramú félvezetős tárak tervezése | 149 |
Bevezetés | 149 |
Logikai és számítási műveletek megvalósítása ROM segítségével | 151 |
Kódátalakítás Gray-kódból decimálisba | 152 |
Általános kombinciós logikai áramkörök megvalósítása | 158 |
Általános sorrendi logika | 158 |
Egy modulo-10 (decimális) számláló tervezése | 159 |
Trigonometrikus függvénygenerátor | 162 |
A lapkatervezés technikája | 163 |
Bevezetés | 163 |
A MOS-elrendezés | 164 |
A szabványos MOS-ROM programozása | 166 |
Sorkiválasztó áramkör | 167 |
Oszlopkiválasztó áramkör | 168 |
MOS fa-mátrixáramkörök | 169 |
Dinamikus MOS-ROM | 170 |
Bipoláris tárak technológiai tervezése | 172 |
Tárcellák és címdekódolás | 172 |
Címdekódoló áramkör | 172 |
Bipoláris tármátrix | 173 |
A tármátrix maszkprogramozása | 175 |
Oszlopkiválasztó áramkör | 176 |
A MOS- és a bipoláris ROM-ok összehasonlítása | 178 |
Programozható ROM | 178 |
Kiolvadó fémezés | 178 |
Lavina által előidézett fémvándorlás | 180 |
A programozható ROM-ok összeahasonlítása | 180 |
Egyéb módszerek | 181 |
Irodalom | 184 |
A félvezetős tárelemek megbízhatósága | 185 |
Bevezetés | 185 |
Az LSI (nagymértékben integrált) áramkör megbízhatóságát meghatározó tényezők | 185 |
A tárrendszer megbízhatósági követelményei | 187 |
A tárrendszerek meghibásodásai közötti átlagidő (MTBF, Mean Time Between Failure) | 187 |
A tárelem meghibásodási aránya | 189 |
A funkciónkénti megbízhatóság | 189 |
Bipoláris áramkörök gyári vizsgálati adatai | 190 |
A megbízhatósági célok összehasonlítása | 191 |
A bipoláris áramkörök gyári vizsgáalti adatainak várható alakulása | 191 |
Bipoláris felhasználói adatok | 192 |
Az adatok és a célok összehasonlítása | 193 |
A MOS gyári vizsgálatai | 193 |
MOS felhasználói adatok | 194 |
Az adatok és a célok összehasonlítása | 195 |
Hibajavítás | 195 |
További lehetőségek a megbízhatóság növelésére | 196 |
Összefoglalás | 197 |
Irodalom | 197 |
A fixprogramú és a sorrendi hozzáférésű tárak alkalmazása | 198 |
Bevezetés | 198 |
Számológép egy lapkán | 198 |
Aritmetikai műveletek | 201 |
Összeadás/kivonás | 205 |
Bináris-BCD kódalakítás | 205 |
Szorzás | 207 |
Osztás | 211 |
Exponenciális függvények | 213 |
Soros akkumulátor | 213 |
Karakter-előállítás | 217 |
A pontmátrixformátum | 217 |
Vektor-display formátum | 220 |
A ROM-ok gazdaságossága | 222 |
Irodalom | 223 |
A bipoláris közvetlen hozzáférésű tárak alkalmazásai | 224 |
Bevezetés | 224 |
A terhelés | 224 |
A tárrendszerben előforduló terhelési tényezők | 226 |
Az időzítés | 228 |
A rendszer-hozzáférési idő | 228 |
Címzés, írásengedélyezés, adatbement- és adatkimenet-időzítés | 229 |
A beírási idő | 229 |
A ciklusidő | 230 |
A kimeneti terhelhetőség | 231 |
A nyitott kollektoros és a háromállapotú kimenetek összehasonlítása | 231 |
A háromállapotú kimenet megbízhatósága | 235 |
A tárelemek alkalmazása a tárrendszerekben | 235 |
A 256 szónál kisebb tárrendszerek | 235 |
A terhelésvizsgálat | 237 |
128x16 bites tárrrendszer | 238 |
A 256 szónál nagyobb tárrendszerek | 243 |
256x16 bites tárrendszer | 245 |
XYZ dekódolás | 246 |
16 k szavas rendszer | 248 |
4 k x 4 bites kártya | 248 |
4 k x 16 bites tárrendszer | 250 |
Nagyobb teljesítményű 4 k x 16 bites tárrendszer | 251 |
Összefoglalás | 253 |
Irodalom | 253 |
A közvetlen hozzáférésű MOS-tárak alkalmazása | 255 |
Bevezetés | 255 |
A MOS-eszközök fontosabb sajátosságai | 255 |
Nagy meghajtófeszültség | 257 |
Tipikus bemeneti feltételek | 257 |
Teljesítménydisszipáció | 258 |
A MOS meghajtófokozata | 259 |
A frissítés | 261 |
Mi a frissítés? | 261 |
Hogyan történik a frissítés? | 263 |
A frissítés címzésének és vezérlésének elemzése | 263 |
Az időzítés | 265 |
Az időzítőgenerátor | 266 |
A háromfázisú generátor | 266 |
Az időzítőlogika | 267 |
Az időzítési diagram | 268 |
Az egymillió bites főtár elemzés | 270 |
A tárelem kakarterisztikája | 270 |
Időzítési diagram-olvasási ciklus | 272 |
Időzítési diagram-írási ciklus | 273 |
Tárrendszer | 274 |
A TMS4062 típusú 1024 bites MOS-RAM -ot felhasználó rendszer | 285 |
További fejlesztések | 294 |
Az N-csatornán RAM-ok | 297 |
Az N-csatornán MOS-hoz való csatlakozás | 298 |
Alkalmazások | 301 |
A legkönnyebben alkalmazható változat | 301 |
A legnagyobb sebességű változat | 302 |
A legolcsóbb, legnagyobb sűrűségű változat | 305 |
További fejlesztések | 309 |
Irodalom | 309 |
Nagy központi tárak | 311 |
Bevezetés | 311 |
A kétszintű központi tárak | 311 |
A kétszintű rendszerek | 312 |
A tárrendszer jellemzői | 316 |
ECL-tár | 317 |
ECL-tárelemek | 318 |
Az ECL-tárelemek alkalmauzkása | 320 |
Egy 1024x9 bites ECL-tárrendszer | 321 |
Egy nagykapacitású, nagy teljesítőképességű központi félvezetős tár | 326 |
1024 bites tárelem | 326 |
A nyolcmillió bites tárrendszer kártyái | 328 |
Bővítés nyolcmillió bites rendszerré | 333 |
Összefoglalás | 343 |
Irodalom | 344 |
Függelék. A félvezetős tárak jelenlegi helyzete és várható fejlődése | 345 |
Irodalom | 393 |
Tárgymutató | 395 |