Félvezető elektronika

Fizikai áttekintés/Kézirat

Szerző

Lektor

'Dr. Házman István: Félvezető elektronika ' összes példány

Kiadó:	Budapesti Műszaki Egyetem
Kiadás helye:	Budapest
Kiadás éve:	1970
Kötés típusa:	Ragasztott papírkötés
Oldalszám:	126 oldal
Sorozatcím:	Budapesti Műszaki Egyetem Továbbképző Intézete előadássorozatából
Kötetszám:	4723
Nyelv:	Magyar
Méret:	24 cm x 17 cm
ISBN:
Megjegyzés:	Kézirat. A könyv 277 példányban jelent meg. 62 fekete-fehér ábrával illusztrálva.

Értesítőt kérek a kiadóról

Értesítőt kérek a sorozatról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Előszó

Az 1962-ben a Mérnöki Továbbképző Intézet kiadásában megjelent "Tranzisztortechnika" című jegyzetem első fejezete tartalmazta csírájában ezt az anyagot, amelyet ma a félvezető eszközök működésének... Tovább

Tartalom

Félvezető kristályok jellemzése	7
Bevezetés	7
Történeti áttekintés	7
A tárgyalásmód megválasztása	8
Mit nevezünk félvezetőnek	9
Félvezető kristályok felépítése	9
Kristályszerkezet	9
A valenciakötés fogalma	11
Vegyértékelektronok energiaállapota	13
Csatolás fogalma, energiaszintek felhasadása	15
A tiltott-sáv szélessége	19
Lehetséges állapotok sűrűsége, tiszta kristályok sávdiagramja	19
Szennyezett kristályok	24
Szennyezés fogalma, beépülése	24
Gyengén szennyezett anyagok energiasáv-ábrái	24
A szennyezés mértékének növekedésével jelentkező hatások	27
Töltéshordozók termikus gerjesztése	31
Gyengén szennyezett kristályok	31
Energiaállapot abszolut nulla hőmérsékleten	31
Fermi-Dirac valószínűségi eloszlás	32
Szabad hordozók keletkezése tiszta anyagú kristályban	34
Szabad hordozók keletkezése donor-szennyezett kristályban	39
Szabad hordozók keletkezése akceptor-szennyezett kristályban	44
Donor- és akceptor-szennyezés együttes jelenléte	43
Összefoglalás	43
A Fermi-szint helyzete erősen szennyezett kristályban	47
Szabad hordozók mozgása	49
Rendezetlen hőmoz gás	49
Elektromos tér hatása, vezetőképesség	51
A mozgékonyság	51
A szennyező atomok hatása	53
A mozgékonyság az injektált hordozósűrűség függvényében	54
A mozgékonyság az elektromos térerősség függvényében	57
A vezetőképesség	57
Félvezető anyagok jellemzése	60
Diffúziós áram. Einstein-összefüggés	62
Diffúziós áram	62
A diffúziós állandó számértéke	64
A Fermi-szint helyzete a hőegyensúlyi kristályban	67
Az átmeneti Fermi-szint fogalma	68
A Hall-effektus	71
Szabad hordozók élettartama	73
A rekombináció folyamata	73
Az élettartam definíciója	74
Élettartam tökéletes kristályban	75
Kristályhibák hatása az élettartamra	78
Élettartam nagyszintű hordozóinjekció esetében	85
A rekombináció hatása a félvezetőben folyó áramra	86
Az alapegyenlet felállítása	86
A diffúziós-rekombinációs alapegyenlet, a diffúziós hosszúság	88
Töltéshordozók elektromos gerjesztése	93
Lavina sokszorozás	93
Az ionizációs valószínűség	94
Téremisszió	97
Félvezetők felszíne	99
A kristályfelszín jellemzése	99
Felszíni energiaállapotok	99
Töltés a felszíni potenciál függvényében	101
A térfogati töltés elhelyezkedése	105
Fém-félvezető kontaktusok	108
A felszíni potenciál meghatározása felszíni állapotok és közbenső réteg jelenlétében	110
A felszín hatása a félvezetőben folyó áramra	114
A felszíni rekombinációs sebesség	115
A párhuzamos impedancia	118
A merőleges impedancia	119

Témakörök

Dr. Házman István

Dr. Házman István műveinek az Antikvarium.hu-n kapható vagy előjegyezhető listáját itt tekintheti meg: Dr. Házman István könyvek, művek

Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem