kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát
Kiadó: | Budapesti Műszaki Egyetem |
---|---|
Kiadás helye: | Budapest |
Kiadás éve: | |
Kötés típusa: | Tűzött kötés |
Oldalszám: | 126 oldal |
Sorozatcím: | Budapesti Műszaki Egyetem Továbbképző Intézete előadássorozatából |
Kötetszám: | |
Nyelv: | Magyar |
Méret: | 24 cm x 17 cm |
ISBN: | |
Megjegyzés: | Kézirat. Fekete-fehér ábrákkal. |
Félvezető kristályok jellemzése | 7 |
Bevezetés | 7 |
Történeti áttekintés | 7 |
A tárgyalásmód megválasztása | 8 |
Mit nevezünk félvezetőnek | 9 |
Félvezető kristályok felépítése | 9 |
Kristályszerkezet | 9 |
A valenciakötés fogalma | 11 |
Vegyértékelektronok energiaállapota | 13 |
Csatolás fogalma, energiaszintek felhasadása | 15 |
A tiltott-sáv szélessége | 19 |
Lehetséges állapotok sűrűsége, tiszta kristályok sávdiagramja | 19 |
Szennyezett kristályok | 24 |
Szennyezés fogalma, beépülése | 24 |
Gyengén szennyezett anyagok energiasáv-ábrái | 24 |
A szennyezés mértékének növekedésével jelentkező hatások | 27 |
Töltéshordozók termikus gerjesztése | 31 |
Gyengén szennyezett kristályok | 31 |
Energiaállapot abszolut nulla hőmérsékleten | 31 |
Fermi-Dirac valószínűségi eloszlás | 32 |
Szabad hordozók keletkezése tiszta anyagú kristályban | 34 |
Szabad hordozók keletkezése donor-szennyezett kristályban | 39 |
Szabad hordozók keletkezése akceptor-szennyezett kristályban | 44 |
Donor- és akceptor-szennyezés együttes jelenléte | 43 |
Összefoglalás | 43 |
A Fermi-szint helyzete erősen szennyezett kristályban | 47 |
Szabad hordozók mozgása | 49 |
Rendezetlen hőmoz gás | 49 |
Elektromos tér hatása, vezetőképesség | 51 |
A mozgékonyság | 51 |
A szennyező atomok hatása | 53 |
A mozgékonyság az injektált hordozósűrűség függvényében | 54 |
A mozgékonyság az elektromos térerősség függvényében | 57 |
A vezetőképesség | 57 |
Félvezető anyagok jellemzése | 60 |
Diffúziós áram. Einstein-összefüggés | 62 |
Diffúziós áram | 62 |
A diffúziós állandó számértéke | 64 |
A Fermi-szint helyzete a hőegyensúlyi kristályban | 67 |
Az átmeneti Fermi-szint fogalma | 68 |
A Hall-effektus | 71 |
Szabad hordozók élettartama | 73 |
A rekombináció folyamata | 73 |
Az élettartam definíciója | 74 |
Élettartam tökéletes kristályban | 75 |
Kristályhibák hatása az élettartamra | 78 |
Élettartam nagyszintű hordozóinjekció esetében | 85 |
A rekombináció hatása a félvezetőben folyó áramra | 86 |
Az alapegyenlet felállítása | 86 |
A diffúziós-rekombinációs alapegyenlet, a diffúziós hosszúság | 88 |
Töltéshordozók elektromos gerjesztése | 93 |
Lavina sokszorozás | 93 |
Az ionizációs valószínűség | 94 |
Téremisszió | 97 |
Félvezetők felszíne | 99 |
A kristályfelszín jellemzése | 99 |
Felszíni energiaállapotok | 99 |
Töltés a felszíni potenciál függvényében | 101 |
A térfogati töltés elhelyezkedése | 105 |
Fém-félvezető kontaktusok | 108 |
A felszíni potenciál meghatározása felszíni állapotok és közbenső réteg jelenlétében | 110 |
A felszín hatása a félvezetőben folyó áramra | 114 |
A felszíni rekombinációs sebesség | 115 |
A párhuzamos impedancia | 118 |
A merőleges impedancia | 119 |
Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.