kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát
Kiadó: | Tankönyvkiadó Vállalat |
---|---|
Kiadás helye: | Budapest |
Kiadás éve: | |
Kötés típusa: | Ragasztott papírkötés |
Oldalszám: | 523 oldal |
Sorozatcím: | |
Kötetszám: | |
Nyelv: | Magyar |
Méret: | 24 cm x 16 cm |
ISBN: | |
Megjegyzés: | Kézirat. Fekete-fehér ábrákkal illusztrálva. Megjelent 407 példányban. Tankönyvi szám: J5-1367. |
Az elektronikus eszközök bevezető áttekintése | 11 |
Félvezető fizikai összefoglaló | 35 |
Félvezetők sávszerkezete | 35 |
A diszperziós reláció | 35 |
Az elektronállapotok sűrűsége | 39 |
Fermi statisztika, intrinsic félvezető | 41 |
Adalékolt félvezetők | 44 |
A töltéshordozó koncentrációk és a Fermi szint kapcsolata | 48 |
A Fermi nívó helyzete | 50 |
Hőmérsékletfüggés | 54 |
Áttérés potenciálokra, nem egyensúlyi koncentrációk | 55 |
Az eszközfizika alapegyenletei | 57 |
Extenzív és intenzív mennyiségek | 58 |
Az általános transzportegyenlet | 58 |
A megmaradási törvény | 59 |
Áramok, transzportegyenletek | 61 |
Megjegyzések a transzportegyenletekhez | 65 |
Kiegészítő egyenletek | 66 |
Az alapegyenletek legfontosabb következményei | 66 |
Neutralitás és egyensúly | 66 |
Áramok félvezetőkben | 69 |
Egyensúly inhomogén anyagban | 70 |
Felületi jelenségek | 72 |
A dielektromos relaxáció | 76 |
Diffúziós egyenlet, diffúziós hossz | 78 |
Félvezetők anyagi paraméterei | 80 |
Mozgékonyság | 80 |
Félvezetők fajlagos ellenállása | 81 |
Generációs-rekombinációs jelenségek | 82 |
A kisszintű élettartam | 88 |
Generáció nagy térerősség esetén | 89 |
Generáció külső hatások következtében | 90 |
A pn átmenet | 92 |
A pn átmenet struktúrája | 92 |
A pn átmenet sztatikus viszonyai | 96 |
Diffúziós potenciál, kontaktpotenciál | 96 |
Töltés- és potenciáleloszlás. Kiürített réteg | 102 |
Az elektrosztatikus viszonyok közelítő számítása | 106 |
A pn átmenet potenciálmenetének pontos számítása | 118 |
A pn átmenet egyenáramú karakterisztikája | 121 |
Az egyenirányító működés kvalitatív magyarázata | 121 |
Az ideális dióda egyenlet | 129 |
Nagyáramú jelenségek a nyitó tartományban | 148 |
Generáció-rekombinációs jelenségek | 157 |
Letörési jelenségek | 167 |
A pn átmenet differenciális jellemzői és kapacitásai | 180 |
A pn átmenet kapacitásai | 185 |
Diffúziós kapacitás és admittancia | 188 |
A tértöltéskapacitás számítása | 200 |
A pn átmenet kapcsoló működése | 206 |
Diódás kapcsolók sztatikus viselkedése | 206 |
Diódatranziensek és kvalitatív magyarázatuk | 211 |
Bekapcsolási tranziens | 214 |
Kikapcsolási tranziens. A záró irányú feléledési idő | 218 |
A pn átmenet töltésegyenlete | 223 |
A gyorsítás lehetőségei | 230 |
A pn átmenet működésének hőmérsékletfüggése | 231 |
A záróáram hőmérsékletfüggése | 231 |
A nyitófeszültség hőmérsékletfüggése | 233 |
Félvezető diódák | 235 |
Tokozás, termikus jellemzők | 235 |
Félvezető diódák tokozása | 235 |
Hőelvezezés, hővezetési ellenállás | 238 |
Hőmérsékleti hatások a dióda elektromos viselkedésében | 245 |
A félvezető diódák adatlapja | 252 |
A félvezető eszközök szokványos jelölésrendszere | 253 |
Egy adatlap részletes ismertetése | 254 |
Különleges félvezető diódák | 260 |
Változó kapacitású diódák | 260 |
Zener diódák | 264 |
Nagyfeszültségű diódák. A p-i-n dióda | 269 |
A félvezető diódák számítógépi modellezése | 275 |
A bipoláris tranzisztor | 277 |
A bipoláris tranzisztor struktúrája | 277 |
A bipoláris tranzisztor működése | 282 |
A tranzisztorhatás | 282 |
Az áramerősítés | 285 |
Injektálási hatásfok, transzporthatásfok | 286 |
Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázisú tranzisztor | 288 |
A tranzisztor üzemmódjai | 291 |
Potenciálviszonyok a tranzisztorban | 293 |
Kiürített rétegek. Az effektív bázisvastagság | 294 |
Beépített tér a bázisban | 295 |
Az ideális tranzisztor egyenáramú karakterisztikája | 297 |
A karakterisztikaszámítás általános módszere | 297 |
A tranzisztor normál aktív üzeme | 300 |
A tranzisztor inverz aktív üzeme | 312 |
A tranzisztor telítéses működése. Az ebers-Moll-egyenletek | 316 |
Az ideális tranzisztor karakterisztikái | 325 |
A valóságos tranzisztor karakterisztikái | 338 |
A CB parazita dióda hatása | 338 |
A soros ellenállások | 340 |
Kimenő vezetékes és visszahatás Early-effektus | 345 |
Az áramerősítés munkapont függése | 355 |
Az áramkiszorítás | 361 |
Egyenáramú jellemzők a tranzisztor adatlapon | 366 |
Kisjelű helyettesítőképek, kapacitások | 373 |
A kisjelű erősítőműködés jellege | 373 |
Fizikai és "fekete doboz" helyettesítés | 375 |
Kisjelű fizikai helyettesítőképek | 375 |
A kapacitások figyelembevétele | 382 |
Négypólus helyettesítő képek | 384 |
Nagyfrekvenciás működés | 392 |
A tranzisztor határfrekvenciái | 392 |
Az áramerősítés nagyfrekvenciás csökkenésének okai | 394 |
A határfrekvenciák számítása | 398 |
Konstrukciós szempontok a nagyfrekvenciás tranzisztoroknál | 402 |
A tranzisztor kapcsoló működése | 403 |
A kapcsolódó működés jellege | 403 |
Határadatok, maximális kapcsolható teljesítmény | 405 |
Áramköri tranziensek | 410 |
A belső működés tranziensei | 417 |
A töltésegyenletek | 423 |
A kapcsolási idők számítása | 428 |
Térvezérlésű tranzisztorok | 434 |
A MOS struktúra | 435 |
A MOS struktúra és kapacitása | 435 |
Tértöltés a félvezető felület környezetében | 441 |
A küszöbfeszültség | 446 |
Az inverziós töltés | 452 |
Az oxidtöltés hatása a küszöbfeszültségre | 455 |
Küszöbfeszültség beállítás ionimplantációval | 456 |
Az inverziós réteg sajátságai | 457 |
A növekményes MOS tranzisztor | 461 |
A növekményes MOS tranzisztor felépítése | 461 |
A MOS tranzisztor differenciálegyenlete | 462 |
A karakterisztikaegyenlet meghatározása | 464 |
A MOS tranzisztor négyzetes ellenállása | 469 |
Méretcsökkentési szabályok (scale down) | 471 |
Komplementer MOS tranzisztorpárok | 474 |
A kiürítéses MOS tranzisztor | 476 |
Részletes tárgyalás | 479 |
Potenciáleloszlás | 479 |
Működési sebesség | 482 |
A telítéses üzemállapot részletes vizsgálata | 483 |
A telítési feszültség és a telítési áram | 487 |
A mozgékonyság térerősség függésének hatása | 489 |
A szubsztrát-előfeszültség hatása | 491 |
Küszöbfeszültség alatti áram | 491 |
A source és drain körül kialakuló tértöltésréteg hatása; a rövidcsatornás MOS tranzisztor | 497 |
Alkalmazási kérdések | 501 |
A MOS tranzisztor kapcsolóüzeme | 501 |
A karakterisztika hőmérsékletfüggése | 505 |
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor | 507 |
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor működése | 507 |
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor differenciálegyenlete | 510 |
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor karakterisztikája | 512 |
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor paramétérei | 516 |
Töltésáthaladási idő és sávjóság | 518 |
Hőmérsékletfüggés | 520 |
Függelék | 523 |
Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.