1.067.317

kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát

A kosaram
0
MÉG
5000 Ft
a(z) 5000Ft-os
szállítási
értékhatárig

Elektronikus eszközök I.

Kézirat

Szerző
Budapest
Kiadó: Tankönyvkiadó Vállalat
Kiadás helye: Budapest
Kiadás éve:
Kötés típusa: Ragasztott papírkötés
Oldalszám: 523 oldal
Sorozatcím:
Kötetszám:
Nyelv: Magyar  
Méret: 24 cm x 16 cm
ISBN:
Megjegyzés: Kézirat. Fekete-fehér ábrákkal illusztrálva. Megjelent 407 példányban. Tankönyvi szám: J5-1367.
Értesítőt kérek a kiadóról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Előszó

E jegyzet a félvezető eszközökre vonatkozó alapstúdiumok anyagát tartalmazza - abban a formában, ahogyan az Elektronikus Eszközök Tanszék a témakört a Villamosmérnöki Kar három szakán előadja. A... Tovább

Előszó

E jegyzet a félvezető eszközökre vonatkozó alapstúdiumok anyagát tartalmazza - abban a formában, ahogyan az Elektronikus Eszközök Tanszék a témakört a Villamosmérnöki Kar három szakán előadja. A jegyzet a jelenleg érvényes nappali tantervek alábbi tárgyai oktatásának bázisa:
Szak Tantárgy Félév
Mikroelektronikai és Techn. Eszközök 4. Híradástechnikai Elektronikus eszközök. 4. Műszer- és irányítástechnikai Félvezető eszközök, 4. B okt. Híradástechnikai Eszközök 4. B okt. Műszer- és irányítást. Elektronikus eszközök 4.
A sok tárgy részére közös jegyzetet az tette indokolttá, hogy tanszékünk a félvezető eszközökkel kapcsolatos alapismereteket egységes formában oktatja, s a szakok eltérő igényeit az anyag témáinak eltérő súlyozásában illetve részletezésében veszi figyelembe. Ezeket a súlyozásbeli különbségeket az írott jegyzetben a következő módon érzékeltettük:
xx
jelzi azokat a szakaszokat illetve pontokat, amelyek az anyag egyes részleteinek elsősorban félvezető specialistáknak szóló, elmélyültebb tárgyalását tartalmazzák. E részeket a Mikroelektronikai és Technológiai szak hallgatóinak szántuk, de tanulmányozásuk természetesen hasznára válhat az egyéb szakos, érdeklődő hallgatóknak is.
x
jelzi azokat a szakaszokat és pontokat, amelyek a jegyzet első áttanulmányozása során a gondolatmenet megtörése nélkül átléphetők. Ezek általában olyan részletkérdéseket tárgyalnak, amikkel az átfogóbb összefüggések megismerése után, a jegyzet második elolvasása során érdemes foglalkozni.
Megjegyezzük még, hogy az anyagot bőségesen elláttuk számpéldákkal. Javasoljuk a jegyzetből tanulóknak, hogy ezeket ne lépjék át, mert belőlük némi számolási rutinszerzésen túl a különféle mennyiségek nagyságrendjéről is helyes képet kapnak.
E jegyzet szerzői amellett, hogy a félvezető szakterület aktív művelői, 2-3 évtizedes tapasztalattal rendelkeznek a félvezető eszközök oktatásának didaktikai kérdéseiben is. Vissza

Tartalom

Az elektronikus eszközök bevezető áttekintése11
Félvezető fizikai összefoglaló35
Félvezetők sávszerkezete35
A diszperziós reláció35
Az elektronállapotok sűrűsége39
Fermi statisztika, intrinsic félvezető41
Adalékolt félvezetők44
A töltéshordozó koncentrációk és a Fermi szint kapcsolata48
A Fermi nívó helyzete50
Hőmérsékletfüggés54
Áttérés potenciálokra, nem egyensúlyi koncentrációk55
Az eszközfizika alapegyenletei57
Extenzív és intenzív mennyiségek58
Az általános transzportegyenlet58
A megmaradási törvény59
Áramok, transzportegyenletek61
Megjegyzések a transzportegyenletekhez65
Kiegészítő egyenletek66
Az alapegyenletek legfontosabb következményei66
Neutralitás és egyensúly66
Áramok félvezetőkben69
Egyensúly inhomogén anyagban70
Felületi jelenségek72
A dielektromos relaxáció76
Diffúziós egyenlet, diffúziós hossz78
Félvezetők anyagi paraméterei80
Mozgékonyság80
Félvezetők fajlagos ellenállása81
Generációs-rekombinációs jelenségek82
A kisszintű élettartam88
Generáció nagy térerősség esetén89
Generáció külső hatások következtében90
A pn átmenet92
A pn átmenet struktúrája92
A pn átmenet sztatikus viszonyai96
Diffúziós potenciál, kontaktpotenciál96
Töltés- és potenciáleloszlás. Kiürített réteg102
Az elektrosztatikus viszonyok közelítő számítása106
A pn átmenet potenciálmenetének pontos számítása118
A pn átmenet egyenáramú karakterisztikája121
Az egyenirányító működés kvalitatív magyarázata121
Az ideális dióda egyenlet129
Nagyáramú jelenségek a nyitó tartományban148
Generáció-rekombinációs jelenségek157
Letörési jelenségek167
A pn átmenet differenciális jellemzői és kapacitásai180
A pn átmenet kapacitásai185
Diffúziós kapacitás és admittancia188
A tértöltéskapacitás számítása200
A pn átmenet kapcsoló működése206
Diódás kapcsolók sztatikus viselkedése206
Diódatranziensek és kvalitatív magyarázatuk211
Bekapcsolási tranziens214
Kikapcsolási tranziens. A záró irányú feléledési idő218
A pn átmenet töltésegyenlete223
A gyorsítás lehetőségei230
A pn átmenet működésének hőmérsékletfüggése231
A záróáram hőmérsékletfüggése231
A nyitófeszültség hőmérsékletfüggése233
Félvezető diódák235
Tokozás, termikus jellemzők235
Félvezető diódák tokozása235
Hőelvezezés, hővezetési ellenállás238
Hőmérsékleti hatások a dióda elektromos viselkedésében245
A félvezető diódák adatlapja252
A félvezető eszközök szokványos jelölésrendszere253
Egy adatlap részletes ismertetése254
Különleges félvezető diódák260
Változó kapacitású diódák260
Zener diódák264
Nagyfeszültségű diódák. A p-i-n dióda269
A félvezető diódák számítógépi modellezése275
A bipoláris tranzisztor277
A bipoláris tranzisztor struktúrája277
A bipoláris tranzisztor működése282
A tranzisztorhatás282
Az áramerősítés285
Injektálási hatásfok, transzporthatásfok286
Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázisú tranzisztor288
A tranzisztor üzemmódjai291
Potenciálviszonyok a tranzisztorban293
Kiürített rétegek. Az effektív bázisvastagság294
Beépített tér a bázisban295
Az ideális tranzisztor egyenáramú karakterisztikája297
A karakterisztikaszámítás általános módszere297
A tranzisztor normál aktív üzeme300
A tranzisztor inverz aktív üzeme312
A tranzisztor telítéses működése. Az ebers-Moll-egyenletek316
Az ideális tranzisztor karakterisztikái325
A valóságos tranzisztor karakterisztikái338
A CB parazita dióda hatása338
A soros ellenállások340
Kimenő vezetékes és visszahatás Early-effektus345
Az áramerősítés munkapont függése355
Az áramkiszorítás361
Egyenáramú jellemzők a tranzisztor adatlapon366
Kisjelű helyettesítőképek, kapacitások373
A kisjelű erősítőműködés jellege373
Fizikai és "fekete doboz" helyettesítés375
Kisjelű fizikai helyettesítőképek375
A kapacitások figyelembevétele382
Négypólus helyettesítő képek384
Nagyfrekvenciás működés392
A tranzisztor határfrekvenciái392
Az áramerősítés nagyfrekvenciás csökkenésének okai394
A határfrekvenciák számítása398
Konstrukciós szempontok a nagyfrekvenciás tranzisztoroknál402
A tranzisztor kapcsoló működése403
A kapcsolódó működés jellege403
Határadatok, maximális kapcsolható teljesítmény405
Áramköri tranziensek410
A belső működés tranziensei417
A töltésegyenletek423
A kapcsolási idők számítása428
Térvezérlésű tranzisztorok434
A MOS struktúra435
A MOS struktúra és kapacitása435
Tértöltés a félvezető felület környezetében441
A küszöbfeszültség446
Az inverziós töltés452
Az oxidtöltés hatása a küszöbfeszültségre455
Küszöbfeszültség beállítás ionimplantációval456
Az inverziós réteg sajátságai457
A növekményes MOS tranzisztor461
A növekményes MOS tranzisztor felépítése461
A MOS tranzisztor differenciálegyenlete462
A karakterisztikaegyenlet meghatározása464
A MOS tranzisztor négyzetes ellenállása469
Méretcsökkentési szabályok (scale down)471
Komplementer MOS tranzisztorpárok474
A kiürítéses MOS tranzisztor476
Részletes tárgyalás479
Potenciáleloszlás479
Működési sebesség482
A telítéses üzemállapot részletes vizsgálata483
A telítési feszültség és a telítési áram487
A mozgékonyság térerősség függésének hatása489
A szubsztrát-előfeszültség hatása491
Küszöbfeszültség alatti áram491
A source és drain körül kialakuló tértöltésréteg hatása; a rövidcsatornás MOS tranzisztor497
Alkalmazási kérdések501
A MOS tranzisztor kapcsolóüzeme501
A karakterisztika hőmérsékletfüggése505
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor507
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor működése507
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor differenciálegyenlete510
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor karakterisztikája512
A záróréteges térvezérlésű tranzisztor paramétérei516
Töltésáthaladási idő és sávjóság518
Hőmérsékletfüggés520
Függelék523
Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem