1.067.474

kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát

A kosaram
0
MÉG
5000 Ft
a(z) 5000Ft-os
szállítási
értékhatárig

Elektronikus eszközök I.

Budapesti Műszaki Egyetem Villamosmérnöki Kar részére/Kiegészítő jegyzet az "Elektroncsövek és Félvezetők" című egyetemi tankönyvhöz/Kézirat

Szerző
Szerkesztő
Lektor
Budapest
Kiadó: Tankönyvkiadó Vállalat
Kiadás helye: Budapest
Kiadás éve:
Kötés típusa: Ragasztott papírkötés
Oldalszám: 308 oldal
Sorozatcím:
Kötetszám:
Nyelv: Magyar  
Méret: 24 cm x 17 cm
ISBN:
Megjegyzés: 188 fekete-fehér ábrával illusztrálva. A könyv 700 példányban jelent meg. Tankönyvi szám: J5-1093. Kézirat.
Értesítőt kérek a kiadóról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Előszó

Dr. Valkó Iván Péter "Elektroncsövek és Félvezetők" c. egyetemi tankönyve 1968-ban jelent meg. A műszaki fejlődés rohanó tempója mellett természetes, hogy a műszaki egyetemen a tárgyba vágó... Tovább

Előszó

Dr. Valkó Iván Péter "Elektroncsövek és Félvezetők" c. egyetemi tankönyve 1968-ban jelent meg. A műszaki fejlődés rohanó tempója mellett természetes, hogy a műszaki egyetemen a tárgyba vágó előadások anyaga azóta is folyamatosan változott. Új, tömörebb, súlyozásban is eltérő tankönyv van előkészületben "Elektronikus Eszközök" címen, de ennek megjelenése - a szerzőkön kívül álló okokból - csak évek múlva várható.
Ezért a hallgatóság munkájának megkönnyítésére az Elektronikus Eszközök Tanszék munkaközössége kiegészítő jegyzetet állított össze. Ez a jegyzet nem önmagában, hanem az "Elektroncsövek és Félvezetők" tankönyvvel együtt szolgálja a felkészülést, tehát nem teljes anyagot ad, hanem bőségesen hivatkozik a tankönyvben tárgyaltakra. A BME három szakán szolgálja a hallgatók érdekeit, köztük azokét is, akik tantervi okokból nem hallgatják az "Elektronfizika" tárgy előadásait, hanem ennek fogalmaival is az "Elektronikus Eszközök" tárgy keretében ismerkednek meg. Vissza

Tartalom

Előszó7
Félvezetőfizikai alapok
A félvezetőanyagok kristályszerkezete11
Alapfogalmak11
Köbös rács, gyémántrács, cinkblende13
Diffrakciós vizsgálatok14
A kristályrács mechanikus rezgései15
Rezgések a homogén egydimenziós atomláncon16
Összetettebb rendszerek rezgései24
A rácsrezgés-kvantum: a foton26
Elektron-állapotok a félvezetőkristályban27
Kvantummechanikai alapfogalmak28
Több-részecskés rendszerek30
Szilárd testek: az atomok közti kötés, megengedett és tiltott energiasávok33
A sokelektron-probléma Hartree-Fock megoldása33
Block-függvények35
A periodikus potenciáltér általános következményei38
Megoldás az erősen kötött elektronokra42
Sávszerkezet az egyszerű köbös rácsnál. Effektív tömeg48
Vegyértéksáv, vezetési sáv. Töltéshordozók51
Gyakorlati félvezetőanyagok sávszerkezete52
Az elektronok egyensúlyi eloszlása55
Egységcellák a Brillouin zónában55
A betöltési valószínűség függvény56
A Fermi-Dirac eloszlásfüggvény56
Az elektron- és lyuksűrűség számítása58
A megengedett állapotok sűrűsége61
Elektron- és lyuksűrűség parabolikus sávszélek esetén64
Adalékolt (szennyezett) félvezetők68
A hordozókoncentrációk szennyezés- és hőmérsékletfüggése70
Egyensúly inhomogén anyagban74
Transzport jelenségek77
Egyszerű elmélet77
Mozgásegyenletek a félvezetőkristályban77
Egyensúlyi és nem egyensúlyi eloszlás78
A Boltzmann-egyenlet81
Megoldás a diffúziós és a sodródási áramra82
Rekombinációs jelenségek88
Direkt rekombináció89
Indirekt rekombináció91
Potenciálok, kvázi-Fermi-szintek94
Félvezető eszközök
Közeghatárok
Kilépési munka99
Félvezető határfelület100
Fém-félvezető átmenet104
Félvezető-félvezető átmenet106
A PN átmenet
PN átmenet sávmodellje109
A pn-átmenet nyitóirányú előfeszítéssel109
A pn-átmenet záróirányú előfeszítéssel117
Letörési jelenségek119
Félvezető diódák
A rétegdióda és helyettesítőképe127
Hőmérsékleti hatások130
A dióda átkapcsolása131
Különleges diódák (Változó kapacitású-; töltéstároló-; Zener-; PIN-; Schottky diódák)136
A dióda mint egyenirányító144
Tranzisztor
A rétegtranzisztor normál aktív üzemállapota147
A tranzisztor emitterárama151
Töltésviszonyok a tranzisztor bázisrétegében154
Tranzisztor paraméterek158
Nagy injektálási szintek163
Transzport faktor (átviteli hatásfok, átviteli tényező)166
Erősítés-sávszélesség szorzat170
A transzverzális bázisellenállás hatása173
Termikus visszacsatolás hatása a tranzisztor paramétereire178
A tranzisztor kapcsolóüzeme184
Különleges tranzisztor struktúrák (integrált áramköri tranzisztor, multiemitteres tranzisztor)193
Térvezérlésű eszközök
Bevezetés198
Záróréteges térvezérlésű tranzisztor202
Záróréteges térvezérlésű tranzisztor áram-feszültség karakterisztikájának levezetése207
Karakterisztikaegyenlet közös (földelt) forrású kapcsolás esetén211
Telitéses üzemmód részletesebb vizsgálata213
Kisjelű paraméterek és helyettesítőképek214
Karakterisztikák és paraméterek hőmérsékletfüggése219
Szerkezeti felépítés220
Schottky-gátas FET 222
Szigetelt vezérlőelektródás térvezérlésű tranzisztor223
Karakterisztikaegyenlet levezetése233
Kisjelű paraméterek és helyettesítőképek240
Térvezérlésű tranzisztorok a gyakorlatban242
Integrált áramkörök
Bevezető247
Maszkok248
Vastagréteg technológia251
Vékonyréteg technológia255
Szigetelő alapú integrált áramkörök konstrukciója és technológiája258
Monolit eljárások269
Félvezető alapú áramköri elemek273
Félvezető alapú (bipoláris) áramkörök technológiája289
Bipoláris logikai áramkörök293
MOS integrált áramkörök technológiája296
Csoportos integrálás307

Valkó Ágnes

Valkó Ágnes műveinek az Antikvarium.hu-n kapható vagy előjegyezhető listáját itt tekintheti meg: Valkó Ágnes könyvek, művek
Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem