Elektronika I.

Félvezető eszközök

Szerző

Székely Vladimir

Lektor

Dr. Nagy András

Budapest

'Székely Vladimir: Elektronika I. ' összes példány

Kiadó:	Műegyetemi Kiadó
Kiadás helye:	Budapest
Kiadás éve:	2003
Kötés típusa:	Ragasztott papírkötés
Oldalszám:	214 oldal
Sorozatcím:
Kötetszám:
Nyelv:	Magyar
Méret:	23 cm x 16 cm
ISBN:
Megjegyzés:	Fekete-fehér ábrákkal illusztrálva. Tankönyvi száma: 55054.

Értesítőt kérek a kiadóról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Fülszöveg

A jegyzet az elektronika félvezető elemeivel foglalkozik. Rövid félvezető-fizikai bevezetés után összefoglalja a pn átmenet struktúráját, működését. Ismerteti a dióda, bipoláris tranzisztor valamint a térvezérelt tranzisztorok felépítését, fizikai működését, karakterisztikáit, másodlagos jelenségeit, kis és nagyjelű áramköri modelljeit. Tárgyalja a dinamikus (nagyfrekvenciás illetőleg tranziens) viselkedés kérdéseit. Kitér az adatlapok és az azokon szokásosan közölt paraméterek értelmezésére. A leírtak elsajátítását sok számpélda segíti.

Tartalom

Bevezetés	1-1
Félvezető fizikai összefoglaló	2-1
Töltéshordozók a félvezetőben	2-1
A sávszerkezet	2-1
Elektronok és lyukak	2-2
Félvezetők, szigetelők, vezetők	2-3
A sávszerkezetről, bővebben	2-4
A szilícium kristályszerkezete	2-6
Elektronok és lyukak a szerkezeti félvezetőben	2-6
Adalékolt félvezetők	2-7
Az elektron- és a lyuksűrűség számítása	2-9
A FERMI szint helyzete	2-12
A hordozó sűrűség függése a hőmérséklettől	2-13
Áramok félvezetőben	2-15
A sodródási áram	2-15
A diffúziós áram	2-19
Generáció, rekombináció, folytonossági egyenletek	2-20
Diffúziós egyenlet, diffúziós hosszúság	2-22
A pn átmenet	3-1
A pn átmenet struktúrája	3-1
Diffúziós potenciál, kontaktpotenciál	3-6
Töltés- és potenciáleloszlás. Kiürített réteg	3-9
Az elektrosztatikus viszonyok közelítő számítása	3-10
A pn átmenet egyenáramú karakterisztikája	3-15
Az egyenirányító működés kvalitatív magyarázata	3-15
Az ideális dióda karakterisztika egyenlete	3-19
Másodlagos jelenségek	3-25
A pn átmenet differenciális jellemzői és kapacitásai	3-34
A pn átmenet differenciális ellenállása	3-34
A pn átmenet kapacitásai	3-38
Diffúziós kapacitás és admittancia	3-41
A tértöltési kapacitás számítása	3-45
A pn átmenet kapcsoló működése	3-47
Diódás kapcsolók sztatikus viselkedése	3-48
Dióda tranziensek és kvalitatív magyarázatuk	3-50
A pn átmenet töltésegyenlete	3-53
A pn átmenet működésének hőmérsékletfüggése	3-53
A záróáram hőmérsékletfüggése	3-53
A nyitófeszültség hőmérsékletfüggése	3-55
Dióda	4-1
Tokozás, termikus jellemzők	4-1
A dióda tokozása	4-1
Hőelvezetés, hővezetési ellenállás	4-3
A félvezető diódák adatlapja	4-7
A félvezető eszközök szokványos jelölésrendszere	4-7
Egy adatlap részletes ismertetése	4-8
Különleges diódák	4-14
Változó kapacitású diódák	4-14
Zener diódák	4-16
A dióda számítógépi modellezése	4-19
A bipoláris tranzisztor	5-1
A bipoláris tranzisztor struktúrája	5-1
A tranzisztorhatás	5-5
Az áramerősítés	5-5
Injektálási hatásfok, transzporthatásfok	5-7
Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázisú tranzisztor	5-8
A tranzisztor üzemmódjai	5-9
Potenciálviszonyok a tranzisztorban	5-12
Kiürített rétegek. Az effektív bázisvastagság	5-14
Beépített tér a bázisban	5-15
A emiter- és a transzport hatásfok számítása	5-15
Az EBERS-MOLL helyettesítőkép	5-16
Az ideális tranzisztor karakterisztikái	5-19
Közös bázisú tranzisztor karakterisztikák	5-24
Az erősítés folyamata a tranzisztorban	5-24
Közös emitteres működés	5-26
Közös emitteres tranzisztor karakterisztikák	5-27
A valóságos tranzisztor karakterisztikái	5-31
A CB parazita dióda hatása	5-31
A soros ellenállások	5-32
Kimenő vezetés és a visszahatás (EARLY hatás)	5-34
Az áramerősítés munkapontfüggése	5-38
Az áramkiszorítás	5-40
Kisjelű helyettesítőképek, kapacitások	5-42
A kisjelű erősítőműködés jellege	5-42
Fizikai és "fekete doboz" helyettesítés	5-44
Kisjelű fizikai helyettesítőképek	5-44
A kapacitások figyelembevétele	5-49
Négypólus helyettesítő képek	5-51
Nagyfrekvenciás működés	5-56
A tranzisztor határfrekvenciái	5-56
A határfrekvenciák közelítő számítása	5-58
A határfrekvenciát befolyásoló további tényezők	5-59
A tranzisztor kapcsoló működése	5-60
A kapcsoló működés jellege	5-60
Határadatok, maximális kapcsolható teljesítmény	5-62
Áramköri tranziensek	5-65
A belső működés tranziensei	5-67
A töltésegyenletek	5-72
A térvezérelt tranzisztorok	6-1
Áttekintés: működési elv, változatok	6-1
A MOS struktúra	6-4
Felületi jelenségek a félvezetőben	6-4
A MOS struktúra potenciál viszonyai és küszöbfeszültsége	6-7
A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége	6-9
A C-V görbe és mérése	6-11
A MOS tranzisztor	6-13
A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája	6-13
A karakterisztika egyenlet levezetése	6-14
Másodlagos jelenségek a MOS tranzisztornál	6-17
A MOS tranzisztor kapacitásai	6-19
A MOS tranzisztor hőmérséklet függése	6-21
Teljesítmény MOS tranzisztor struktúrák	6-22
A kiürítéses MOS tranzisztor	6-22
A záróréteges térvezérelt tranzisztor	6-23
Struktúra és karakterisztikák	6-23
Az elzáródási feszültség számítása	6-25
A karakterisztika egyenlete	6-25
Kisjelű paraméterek, helyettesítőkép	6-25
A Függelék. A munkaegyenes szerkesztés
B Függelék. Fontosabb félvezető eszközök szabványos rajzjelei
C Függelék. A jegyzetben használt jelölések
Név- és tárgymutató

Témakörök

Székely Vladimir

Székely Vladimir műveinek az Antikvarium.hu-n kapható vagy előjegyezhető listáját itt tekintheti meg: Székely Vladimir könyvek, művek

Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem