1.062.077

kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát

A kosaram
0
MÉG
5000 Ft
a(z) 5000Ft-os
szállítási
értékhatárig

Elektronika I.

Félvezető eszközök

Szerző
Lektor
Budapest
Kiadó: Műegyetemi Kiadó
Kiadás helye: Budapest
Kiadás éve:
Kötés típusa: Ragasztott papírkötés
Oldalszám: 214 oldal
Sorozatcím:
Kötetszám:
Nyelv: Magyar  
Méret: 23 cm x 16 cm
ISBN:
Megjegyzés: Fekete-fehér ábrákkal illusztrálva. Tankönyvi száma: 55054.
Értesítőt kérek a kiadóról

A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról

Fülszöveg

A jegyzet az elektronika félvezető elemeivel foglalkozik. Rövid félvezető-fizikai bevezetés után összefoglalja a pn átmenet struktúráját, működését. Ismerteti a dióda, bipoláris tranzisztor valamint a térvezérelt tranzisztorok felépítését, fizikai működését, karakterisztikáit, másodlagos jelenségeit, kis és nagyjelű áramköri modelljeit. Tárgyalja a dinamikus (nagyfrekvenciás illetőleg tranziens) viselkedés kérdéseit. Kitér az adatlapok és az azokon szokásosan közölt paraméterek értelmezésére. A leírtak elsajátítását sok számpélda segíti.

Tartalom

Bevezetés1-1
Félvezető fizikai összefoglaló2-1
Töltéshordozók a félvezetőben2-1
A sávszerkezet2-1
Elektronok és lyukak2-2
Félvezetők, szigetelők, vezetők2-3
A sávszerkezetről, bővebben2-4
A szilícium kristályszerkezete2-6
Elektronok és lyukak a szerkezeti félvezetőben2-6
Adalékolt félvezetők2-7
Az elektron- és a lyuksűrűség számítása2-9
A FERMI szint helyzete2-12
A hordozó sűrűség függése a hőmérséklettől2-13
Áramok félvezetőben2-15
A sodródási áram2-15
A diffúziós áram2-19
Generáció, rekombináció, folytonossági egyenletek2-20
Diffúziós egyenlet, diffúziós hosszúság2-22
A pn átmenet3-1
A pn átmenet struktúrája3-1
Diffúziós potenciál, kontaktpotenciál3-6
Töltés- és potenciáleloszlás. Kiürített réteg3-9
Az elektrosztatikus viszonyok közelítő számítása3-10
A pn átmenet egyenáramú karakterisztikája3-15
Az egyenirányító működés kvalitatív magyarázata3-15
Az ideális dióda karakterisztika egyenlete3-19
Másodlagos jelenségek3-25
A pn átmenet differenicális jellemzői és kapacitásai3-34
A pn átmenet differenciális ellenállása3-34
A pn átmenet kapacitásai3-38
Diffúziós kapacitás és admittancia3-41
A tértöltési kapacitás számítása3-45
A pn átmenet kapcsoló működése3-47
Diódás kapcsolók sztatikus viselkedése3-48
Dióda tranziensek és kvalitatív magyarázatuk3-50
A pn átmenet töltésegyenlete3-53
A pn átmenet működésének hőmérsékletfüggése3-53
A záróáram hőmérsékletfüggése3-53
A nyitófeszültség hőmérsékletfüggése3-55
Dióda4-1
Tokozás, termikus jellemzők4-1
A dióda tokozása4-1
Hőelvezetés, hővezetési ellenállás4-3
A félvezető diódák adatlapja4-7
A félvezető eszközök szokványos jelölésrendszere4-7
Egy adatlap részletes ismertetése4-8
Különleges diódák4-14
Változó kapacitású diódák4-14
Zener diódák4-16
A dióda számítógépi modellezése4-19
A bipoláris tranzisztor5-1
A bipoláris tranzisztor struktúrája5-1
A tranzisztorhatás5-5
Az áramerősítés5-5
Injektálási hatásfok, transzporthatásfok5-7
Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázisú tranzisztor5-8
A tranzisztor üzemmódjai5-9
Potenciálviszonyok a tranzisztorban5-12
Kiürített rétegek. Az effektív bázisvastagság5-14
Beépített tér a bázisban5-15
A emiter- és a transzport hatásfok számítása5-15
Az EBERS-MOLL helyettesítőkép5-16
Az ideális tranzisztor karakterisztikái5-19
Közös bázisú tranisztor karakterisztikák5-24
Az erősítés folyamata a tranzisztorban5-24
Közös emitteres működés5-26
Közös emitteres tranzisztor karakterisztikák5-27
A valóságos tranzisztor karakterisztikái5-31
A CB parazita dióda hatása5-31
A soros ellenállások5-32
Kimenő vezetés és a visszahatás (EARLY hatás)5-34
Az áramerősítés munkapontfüggése5-38
Az áramkiszorítás5-40
Kisjelű helyettesítőképek, kapacitások5-42
A kisjelű erősítőműködés jellege5-42
Fizikai és "fekete doboz" helyettesítés5-44
Kisjelű fizikai helyettesítőképek5-44
A kapacitások figyelembevétele5-49
Négypólus helyettesítő képek5-51
Nagyfrekvenciás működés5-56
A tranzisztor határfrekvenciái5-56
A határfrekvenciák közelítő számítása5-58
A határfrekvenciát befolyásoló további tényezők 5-59
A tranzisztor kapcsoló működése5-60
A kapcsoló működés jellege5-60
Határadatok, maximális kapcsolható teljesítmény5-62
Áramköri tranziensek5-65
A belső működés tranziensei5-67
A töltésegyenletek5-72
A térvezérelt tranzisztorok6-1
Áttekintés: működési elv, változatok6-1
A MOS struktúra6-4
Felületi jelenségek a félvezetőben6-4
A MOS struktúra potenciál viszonyai és küszöbfeszültsége6-7
A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége6-9
A C-V görbe és mérése6-11
A MOS tranzisztor 6-13
A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája6-13
A karakterisztika egyenlet levezetése6-14
Másodlagos jelenségek a MOS tranzisztornál6-17
A MOS tranzisztor kapacitásai6-19
A MOS tranzisztor hőmérséklet függése6-21
Teljesítmény MOS tranzisztor struktúrák6-22
A kiürítéses MOS tranzisztor 6-22
A záróréteges térvezérelt tranzisztor6-23
Sturktúra és karakterisztikák6-23
Az elzáródási feszültség számítása6-25
A karakterisztika egyenlete6-25
Kisjelű paraméterek, helyettesítőkép6-25
A Függelék. A munkaegyenes szerkesztés
B Függelék. Fontosabb félvezető eszközök szabványos rajzjelei
C Függelék. A jegyzetben használt jelölések
Név- és tárgymutató

Székely Vladimir

Székely Vladimir műveinek az Antikvarium.hu-n kapható vagy előjegyezhető listáját itt tekintheti meg: Székely Vladimir könyvek, művek
Megvásárolható példányok

Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.

Előjegyzem