1.062.212
kiadvánnyal nyújtjuk Magyarország legnagyobb antikvár könyv-kínálatát
Alapvető eljárások 1.
Bevezetés, oxidnövesztési módszerek, adalékanyagok diffúziója
Budapest
| Kiadó: | Országos Műszaki Információs Központ és Könyvtár |
|---|---|
| Kiadás helye: | Budapest |
| Kiadás éve: | |
| Kötés típusa: | Tűzött kötés |
| Oldalszám: | 58 oldal |
| Sorozatcím: | Mikroelektronikai technológiai füzetek |
| Kötetszám: | 1 |
| Nyelv: | Magyar |
| Méret: | 24 cm x 16 cm |
| ISBN: | 963-592-385-6 |
| Megjegyzés: | Megjelent 400 példányban. Fekete-fehér ábrákkal illusztrált. |
Értesítőt kérek a kiadóról
Értesítőt kérek a sorozatról
A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
A beállítást mentettük,
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
naponta értesítjük a beérkező friss
kiadványokról
Előszó
A szilicium alapu eszközök fejlődését a planár tranzisztor felfedezése indította el, ebből a technológiából alakult ki a tranzisztor és az integrált áramkör mai gyártási technológiája. A... TovábbElőszó
A szilicium alapu eszközök fejlődését a planár tranzisztor felfedezése indította el, ebből a technológiából alakult ki a tranzisztor és az integrált áramkör mai gyártási technológiája. A technológia elnevezése abból adódik, hogy - a korábbi technológiákkal ellentétben - itt a p-nátmenetek az alapszelet síkjából nem emelkednek ki, síkbeli (planáris) elrendezés jellemzi a konstrukciót.A planár technológia létrejöttét az a felismerés tette lehetővé, hogy vannak olyan anyagok (diffuzánsok), amelyek a szilícium felszinén növesztett oxidrétegen nem jutnak át azon idő alatt, amíg az eszközt magas hőmérsékleten tartjuk, de azokon a területeken, ahol a Si felületét nem borítja oxidréteg, ott a Si egykristályba, diffundálva p-n átmenetet hoz létre. A szilicium-dioxidnak ezt a tulajdonságát maszkolóképességnek nevezzük. Nézzük meg az alapvető planár technológiai folyamatot az npn planár tranzisztor előállításának folyamatábráján (1. ábra). Vissza
Tartalom
| Bevezetés | 7 |
| Oxidnövesztési módszerek | 12 |
| A SiO2 réteg funkciói | 13 |
| Termikus oxidnövesztés | 14 |
| Száraz oxidáció | 14 |
| Vízgőzös oxidáció | 15 |
| Nedves oxidáció | 16 |
| A termikus oxidnövesztés módszerei | 16 |
| Egyéb oxidelőállítási módszerek | 18 |
| Anódos oxidáció | 18 |
| Rádiófrekvenciás porlasztás | 19 |
| Oxidrétegek minősítése és megmunkálása | 19 |
| Adalékanyagok diffuziója | 21 |
| A diffuzió elvi alapjai | 22 |
| A szilárdtest-diffuzió mechanizmusa | 23 |
| A diffuzió alaptörvényei, diffuziós eloszlások | 25 |
| Diffuziós rendszerek | 31 |
| Adalékanyagok bevitele sziliciumba | 36 |
| Bórdiffuzió | 36 |
| Foszfordiffuzió | 39 |
| Arzéndiffuzió | 40 |
| p-n átmenet előállítása diffuzióval | 41 |
| A foszfor diffuziós tulajdonságai | 43 |
| A bór diffuziós tulajdonságai | 44 |
| A diffuziós rétegek minősítése | 48 |
| Profilfelvételi módszerek | 49 |
| Az alapvető diffuziós paraméterek mérése | 51 |
| Függelék | 54 |
| Irodalomjegyzék | 56 |
Témakörök
Megvásárolható példányok
Nincs megvásárolható példány
A könyv összes megrendelhető példánya elfogyott. Ha kívánja, előjegyezheti a könyvet, és amint a könyv egy újabb példánya elérhető lesz, értesítjük.
Folytatás Microsoft-tal