A galliumarzenid-félvezetőeszközök és technológiájuk

Tartalom

1. Bevezetés......................5
1.1 Intermetallikus vegyületeken alapuló félvezetők ... 5
1.2 A galliumarzenid-félvezető ..........................7
2. A GaAs-egykristály előállítása ......................15
2.1 Horizontális kristályosítás ..........................16
2.2 Vertikális kristályosítás /Czochralski-eljárás/ ... 18
3. GaAs-réteg előállítása epitaxiával..........21
3.1 Gőzfázisu epitaxia..................21
3.2 Folyadékfázisú epitaxia ..............................24
4. Egyéb technológiai müveletek.............31
4.1 Marás........................31
4.2 Diffúzió......................35
4.3 Ötvözés.......................38
4.4 Kontaktálás.....................40
4.5 Termokompresszió ....................................48
4.6 Felületpassziválás ..................................48
4.7 Szigetelőréteg leválasztása a GaAs felületére .... 49
5. Diódák.......................51
5.1 p-n átmenetek....................51
5.2 Fém-félvezető átmenetek ..............................57
5.3 Fényemittáló diódák ..................................61
6. Térvezérlésü tranzisztorok..............68
7. Gunn-diódák.....................73
7.1 A Gunn-diódák működési elve.............73
7.2 A Gunn-diódák előállitása ............................79
7.3 A Gunn-diódák alkalmazása ............................83
7.4 Planártipusu Gunn-diódák...............84
8. Irodalom.......................87

Témakörök